Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

HIP6603BECBZ
Renesas Electronics America Inc.

HIP6603BECBZ

جزء الأسهم: 3997

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP6604BCR-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP6604BCR-T

جزء الأسهم: 4071

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614IRZR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614IRZR5238

جزء الأسهم: 7895

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613BCR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BCR-T

جزء الأسهم: 8507

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6700IRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6700IRZ-T

جزء الأسهم: 5293

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614CBZ-TR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CBZ-TR5214

جزء الأسهم: 8097

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613CBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613CBZ

جزء الأسهم: 5002

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612CBZ-TR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CBZ-TR5214

جزء الأسهم: 8056

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6610IBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6610IBZ-T

جزء الأسهم: 8597

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
EL7412CMZ
Renesas Electronics America Inc.

EL7412CMZ

جزء الأسهم: 3727

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6801ABT
Renesas Electronics America Inc.

ISL6801ABT

جزء الأسهم: 5241

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 6.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.4V, 3V,

قائمة الرغبات
EL7155CS
Renesas Electronics America Inc.

EL7155CS

جزء الأسهم: 2614

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6622AIBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6622AIBZ-T

جزء الأسهم: 8132

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612ACBZA
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612ACBZA

جزء الأسهم: 4452

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612BIBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BIBZ

جزء الأسهم: 4627

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614ACBZA
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614ACBZA

جزء الأسهم: 5093

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7212CS-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7212CS-T13

جزء الأسهم: 8409

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6614CR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CR-T

جزء الأسهم: 5199

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL89165FBECZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89165FBECZ-T

جزء الأسهم: 8886

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

قائمة الرغبات
EL7104CS-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7104CS-T13

جزء الأسهم: 3576

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL2100AABZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL2100AABZ

جزء الأسهم: 8978

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.4V,

قائمة الرغبات
ISL6608CRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608CRZ-T

جزء الأسهم: 4421

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL6614CB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CB-T

جزء الأسهم: 5170

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6615IBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6615IBZ

جزء الأسهم: 7978

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL89162FRTAZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89162FRTAZ

جزء الأسهم: 9008

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
HIP6603BCB
Renesas Electronics America Inc.

HIP6603BCB

جزء الأسهم: 3949

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2100IRT
Renesas Electronics America Inc.

HIP2100IRT

جزء الأسهم: 3847

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4V, 7V,

قائمة الرغبات
EL7242CN
Renesas Electronics America Inc.

EL7242CN

جزء الأسهم: 2681

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6596IBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6596IBZ

جزء الأسهم: 4204

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL89167FRTAZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89167FRTAZ

جزء الأسهم: 9341

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL6609AIRZ-TK
Renesas Electronics America Inc.

ISL6609AIRZ-TK

جزء الأسهم: 8812

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL89163FBECZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89163FBECZ-T

جزء الأسهم: 8866

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

قائمة الرغبات
ISL6210CRZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6210CRZ-T

جزء الأسهم: 5686

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL6613EIBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613EIBZ

جزء الأسهم: 8530

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6608CB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608CB

جزء الأسهم: 4388

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
EL7243CMZ
Renesas Electronics America Inc.

EL7243CMZ

جزء الأسهم: 3689

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات