PMIC - بوابات السائقين

منزل، بيت
PMIC - بوابات السائقين

Renesas Electronics America Inc.

ISL89161FRTBZ

جزء الأسهم: 9322

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.15V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

EL7156CS-T7

جزء الأسهم: 3655

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614BCRZ

جزء الأسهم: 7898

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

HIP2120FRTBZ

جزء الأسهم: 9601

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.93V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614AIBZ-T

جزء الأسهم: 5162

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614BCBZ-T

جزء الأسهم: 8075

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6610IBZ

جزء الأسهم: 5755

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614IRZ-T

جزء الأسهم: 5258

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6615CBZ-T

جزء الأسهم: 8178

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613ACBZ

جزء الأسهم: 4700

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614AIR-T

جزء الأسهم: 5145

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

EL7154CNZ

جزء الأسهم: 5734

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.4V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

HIP2121FRTAZ-T

جزء الأسهم: 9581

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.4V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613AIR

جزء الأسهم: 4817

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BIB-T

جزء الأسهم: 4876

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613EIBZ-T

جزء الأسهم: 5085

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

EL7104CS-T7

جزء الأسهم: 3550

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL89401ABZ-TK

جزء الأسهم: 51835

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.4V, 2.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

HIP2100IR4Z

جزء الأسهم: 3795

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4V, 7V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BCB-T

جزء الأسهم: 4795

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

PX3511BDDG

جزء الأسهم: 7844

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BECB-T

جزء الأسهم: 4582

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

PX3511BDDG-RA

جزء الأسهم: 8223

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6594BCRZ

جزء الأسهم: 4231

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614IBZ

جزء الأسهم: 5182

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

EL7243CM

جزء الأسهم: 3702

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614ACB-T

جزء الأسهم: 5090

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613EIB

جزء الأسهم: 5067

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

ISL89367FRTAZ-T

Renesas Electronics America Inc.

ISL89367FRTAZ-T

جزء الأسهم: 9540

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6620AIRZ-T

جزء الأسهم: 7550

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6614BIBZ

جزء الأسهم: 8053

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6615ACBZ

جزء الأسهم: 7905

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6612IR

جزء الأسهم: 4669

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6594BCR-T

جزء الأسهم: 4202

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL89160FBEBZ

جزء الأسهم: 8970

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.15V,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6613EIB-T

جزء الأسهم: 5017

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات

813

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»