Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

ISL6613BIB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BIB

جزء الأسهم: 4938

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612BIBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BIBZ-T

جزء الأسهم: 4575

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6608IRZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6608IRZ

جزء الأسهم: 4454

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL89168FBEAZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89168FBEAZ-T

جزء الأسهم: 8959

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL89161FRTAZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89161FRTAZ

جزء الأسهم: 9046

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

قائمة الرغبات
ISL6614CRZA
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614CRZA

جزء الأسهم: 5225

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP6601BECBZA
Renesas Electronics America Inc.

HIP6601BECBZA

جزء الأسهم: 3940

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612AECB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612AECB-T

جزء الأسهم: 4449

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2100EIBT
Renesas Electronics America Inc.

HIP2100EIBT

جزء الأسهم: 8379

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4V, 7V,

قائمة الرغبات
ISL6612AIR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612AIR-T

جزء الأسهم: 4465

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP6602BCRZA-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP6602BCRZA-T

جزء الأسهم: 3963

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613CB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613CB-T

جزء الأسهم: 5003

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6614IBZR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6614IBZR5238

جزء الأسهم: 8021

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL89165FRTCZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL89165FRTCZ-T

جزء الأسهم: 8902

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

قائمة الرغبات
EL7154CS-T13
Renesas Electronics America Inc.

EL7154CS-T13

جزء الأسهم: 3579

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2.4V,

قائمة الرغبات
ISL6612BECB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BECB

جزء الأسهم: 4500

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL89165FBECZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89165FBECZ

جزء الأسهم: 8842

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

قائمة الرغبات
ISL89165FRTCZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL89165FRTCZ

جزء الأسهم: 8861

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

قائمة الرغبات
EL7457CL
Renesas Electronics America Inc.

EL7457CL

جزء الأسهم: 2644

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6612BEIB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612BEIB

جزء الأسهم: 4554

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612ACBZAR5214
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612ACBZAR5214

جزء الأسهم: 7993

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6594ACBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594ACBZ-T

جزء الأسهم: 4150

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6613ACBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613ACBZ-T

جزء الأسهم: 4772

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6615IBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6615IBZ-T

جزء الأسهم: 8121

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6612IRZR5238
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612IRZR5238

جزء الأسهم: 7857

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
PX3511DDDG-RA
Renesas Electronics America Inc.

PX3511DDDG-RA

جزء الأسهم: 8213

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6596CBZ-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6596CBZ-T

جزء الأسهم: 4230

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

قائمة الرغبات
ISL6612CB
Renesas Electronics America Inc.

ISL6612CB

جزء الأسهم: 4615

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP6601BECB-T
Renesas Electronics America Inc.

HIP6601BECB-T

جزء الأسهم: 3890

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
EL7457CU
Renesas Electronics America Inc.

EL7457CU

جزء الأسهم: 2729

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6605IR-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605IR-T

جزء الأسهم: 4350

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6613BCR
Renesas Electronics America Inc.

ISL6613BCR

جزء الأسهم: 4794

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
HIP2101IR4
Renesas Electronics America Inc.

HIP2101IR4

جزء الأسهم: 3876

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

قائمة الرغبات
ISL6594BCBZ
Renesas Electronics America Inc.

ISL6594BCBZ

جزء الأسهم: 4171

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

قائمة الرغبات
ISL6605IRZA
Renesas Electronics America Inc.

ISL6605IRZA

جزء الأسهم: 8511

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

قائمة الرغبات
ISL6209CB-T
Renesas Electronics America Inc.

ISL6209CB-T

جزء الأسهم: 4181

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 3.1V,

قائمة الرغبات