الثنائيات - المقومات - مفرد

IDC05S60CEX1SA1

جزء الأسهم: 2377

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH02G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 5266

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDK09G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2371

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 9A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 9A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDC08S60CEX1SA2

جزء الأسهم: 2399

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDL02G65C5XUMA1

جزء الأسهم: 2331

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDP30E120XKSA1

جزء الأسهم: 34878

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.15V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 243ns,

IDB06S60CATMA2

جزء الأسهم: 2626

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH101DB6

جزء الأسهم: 2341

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 360ns,

IRD3CH24DF6

جزء الأسهم: 2382

IDK12G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2311

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDC04S60CEX7SA1

جزء الأسهم: 2434

IDL04G65C5XUMA1

جزء الأسهم: 2353

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDW75E60FKSA1

جزء الأسهم: 1516

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2V @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 121ns,

IDK06G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2335

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH11DF6

جزء الأسهم: 2342

IDW40G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 4319

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 40A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDC08S60CEX7SA1

جزء الأسهم: 2440

IDW15S120FKSA1

جزء الأسهم: 2436

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 15A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH12G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 2289

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

D1050N14TXPSA1

جزء الأسهم: 2299

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1050A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1000A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH12G65C6XKSA1

جزء الأسهم: 12700

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 27A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH82DB6

جزء الأسهم: 5258

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 355ns,

IDL08G65C5XUMA1

جزء الأسهم: 2367

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH24DD6

جزء الأسهم: 5312

IDW15E65D2FKSA1

جزء الأسهم: 41876

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 47ns,

IRD3CH53DF6

جزء الأسهم: 2322

D1050N16TXPSA1

جزء الأسهم: 2266

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1050A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1000A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH20G65C6XKSA1

جزء الأسهم: 8465

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 41A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 20A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH24DB6

جزء الأسهم: 5317

IRD3CH16DF6

جزء الأسهم: 2362

IDW10G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 12731

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH101DF6

جزء الأسهم: 2365

IDK10G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2337

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH16G120C5XKSA1

جزء الأسهم: 6043

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 16A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH31DF6

جزء الأسهم: 2321

IRD3CH42DF6

جزء الأسهم: 2347