Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

IDH15S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH15S120AKSA1

جزء الأسهم: 889

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 15A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDD12SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD12SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 20456

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH04SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH04SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 817

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH05S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH05S120AKSA1

جزء الأسهم: 891

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH03SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH03SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 855

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 3A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH05SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH05SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 839

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH02SG120XKSA1
Infineon Technologies

IDH02SG120XKSA1

جزء الأسهم: 831

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH10SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH10SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 816

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDD06SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD06SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 813

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH10S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH10S120AKSA1

جزء الأسهم: 888

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH08S120AKSA1
Infineon Technologies

IDH08S120AKSA1

جزء الأسهم: 810

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7.5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 7.5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH12SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH12SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 900

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDB06S60C
Infineon Technologies

IDB06S60C

جزء الأسهم: 5151

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDD08SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD08SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 811

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH06SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH06SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 5122

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDV02S60CXKSA1
Infineon Technologies

IDV02S60CXKSA1

جزء الأسهم: 828

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH09SG60CXKSA1
Infineon Technologies

IDH09SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 812

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 9A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 9A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDB10S60C
Infineon Technologies

IDB10S60C

جزء الأسهم: 875

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDD04SG60CXTMA1
Infineon Technologies

IDD04SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 834

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
IDH06S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH06S60CAKSA1

جزء الأسهم: 502

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
SIDC06D60C6
Infineon Technologies

SIDC06D60C6

جزء الأسهم: 477

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC78D170HX1SA1
Infineon Technologies

SIDC78D170HX1SA1

جزء الأسهم: 521

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1700V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
IDH04S60CAKSA1
Infineon Technologies

IDH04S60CAKSA1

جزء الأسهم: 556

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
SIDC09D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6X1SA1

جزء الأسهم: 552

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SIDC30D60E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC30D60E6X1SA1

جزء الأسهم: 571

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 75A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC73D170E6X1SA2
Infineon Technologies

SIDC73D170E6X1SA2

جزء الأسهم: 517

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1700V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.15V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC16D60SIC3
Infineon Technologies

SIDC16D60SIC3

جزء الأسهم: 502

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
SIDC56D120E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D120E6X1SA1

جزء الأسهم: 5106

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 75A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC23D120F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC23D120F6X1SA1

جزء الأسهم: 552

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 25A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC09D60E6YX1SA1
Infineon Technologies

SIDC09D60E6YX1SA1

جزء الأسهم: 523

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SIDC08D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC08D60C6Y

جزء الأسهم: 497

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 30A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC14D60C6Y
Infineon Technologies

SIDC14D60C6Y

جزء الأسهم: 543

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 50A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 50A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC08D120H6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC08D120H6X1SA1

جزء الأسهم: 504

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 10A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC56D170E6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC56D170E6X1SA1

جزء الأسهم: 577

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1700V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.15V @ 75A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SIDC09D60E6 UNSAWN
Infineon Technologies

SIDC09D60E6 UNSAWN

جزء الأسهم: 518

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
SIDC02D60F6X1SA1
Infineon Technologies

SIDC02D60F6X1SA1

جزء الأسهم: 525

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات