الثنائيات - المقومات - مفرد

D2700U45X122XOSA1

جزء الأسهم: 287

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 4500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2900A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601NH90TXPSA1

جزء الأسهم: 324

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 9000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1790A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 5.5V @ 4000A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D1961SH45TXPSA1

جزء الأسهم: 307

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 4500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2380A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 2500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

D2601N85TXPSA1

جزء الأسهم: 304

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 8500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3040A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IRD3CH9DD6

جزء الأسهم: 5330

IDP45E60XKSA1

جزء الأسهم: 38822

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 71A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2V @ 45A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 140ns,

IDP23011XUMA1

جزء الأسهم: 34916

IDK04G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2364

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH53DB6

جزء الأسهم: 2397

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 270ns,

IDW16G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 9090

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 16A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH9DB6

جزء الأسهم: 2378

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 154ns,

IRD3CH16DD6

جزء الأسهم: 2386

IDFW40E65D1EXKSA1

جزء الأسهم: 1902

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 42A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 76ns,

IRD3CH42DD6

جزء الأسهم: 2407

IRD3CH101DD6

جزء الأسهم: 2319

IDW40E65D2FKSA1

جزء الأسهم: 30469

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

IRD3CH82DF6

جزء الأسهم: 2356

IRD3CH16DB6

جزء الأسهم: 2357

IRD3CH5BD6

جزء الأسهم: 5238

IDC08S60CEX1SA3

جزء الأسهم: 2424

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH08G120C5XKSA1

جزء الأسهم: 10387

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDK02G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2297

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH20G65C5XKSA2

جزء الأسهم: 7574

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 20A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDL12G65C5XUMA1

جزء الأسهم: 2364

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH31DB6

جزء الأسهم: 2327

IDB10S60CATMA2

جزء الأسهم: 5332

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH42DB6

جزء الأسهم: 2339

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 75A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 75A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 285ns,

IRD3CH82DD6

جزء الأسهم: 2324

IRD3CH11DB6

جزء الأسهم: 2369

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 190ns,

IDK08G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2324

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH5DB6

جزء الأسهم: 5234

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.7V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 96ns,

IDP08E65D2XKSA1

جزء الأسهم: 68501

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

IDL10G65C5XUMA1

جزء الأسهم: 2296

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDC04S60CEX1SA1

جزء الأسهم: 2355

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDK03G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2298

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 3A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDK05G65C5XTMA1

جزء الأسهم: 2285

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,