الثنائيات - المقومات - مفرد

IDH04G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 1650

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH10G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 1661

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDW40G65C5FKSA1

جزء الأسهم: 3993

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 40A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDB09E60ATMA1

جزء الأسهم: 1517

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 19.3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

IDV04S60CXKSA1

جزء الأسهم: 1551

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDY15S120XKSA1

جزء الأسهم: 1556

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7.5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDP04E120

جزء الأسهم: 1480

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 11.2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.15V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 115ns,

IDP23E60

جزء الأسهم: 1484

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 41A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2V @ 23A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 120ns,

IDD03E60BUMA1

جزء الأسهم: 1500

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7.3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 62ns,

IDW20G65C5FKSA1

جزء الأسهم: 1234

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 20A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

HFA15TB60PBF

جزء الأسهم: 44119

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

IDL06G65C5XUMA1

جزء الأسهم: 1396

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDB18E120ATMA1

جزء الأسهم: 1262

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 31A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.15V @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 195ns,

IDH16G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 1262

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 16A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 16A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDT05S60CHKSA1

جزء الأسهم: 1377

IRD3CH9DF6

جزء الأسهم: 1391

IDH05G65C5XKSA1

جزء الأسهم: 1235

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH53DD6

جزء الأسهم: 1378

IDY10S120XKSA1

جزء الأسهم: 1261

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDD04S60CBUMA1

جزء الأسهم: 1318

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5.6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 4A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDT04S60CHKSA1

جزء الأسهم: 1373

IDW10S120FKSA1

جزء الأسهم: 1361

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IRD3CH11DD6

جزء الأسهم: 1353

SDP06S60

جزء الأسهم: 1035

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDH02G120C5XKSA1

جزء الأسهم: 23390

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.65V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDM02G120C5XTMA1

جزء الأسهم: 49472

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.65V @ 2A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

SIDC26D60C6

جزء الأسهم: 5159

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC06D60AC6X1SA1

جزء الأسهم: 1106

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 20A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

SIDC24D30SIC3

جزء الأسهم: 1116

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

SDP10S30

جزء الأسهم: 5134

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

SIDC06D120H6X1SA4

جزء الأسهم: 1137

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 7.5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 7.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

IDH08SG60CXKSA1

جزء الأسهم: 868

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 8A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDD05SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 873

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.3V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDD10SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 815

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDD09SG60CXTMA1

جزء الأسهم: 852

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 9A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 9A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

IDV03S60CXKSA1

جزء الأسهم: 868

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.9V @ 3A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,