الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

منزل، بيت
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908APAL

جزء الأسهم: 23468

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708ASCL

جزء الأسهم: 13761

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704PCL

جزء الأسهم: 15955

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908PAL

جزء الأسهم: 29354

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110802PCL

جزء الأسهم: 19193

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (Max) @ Id: 220mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212904SAL

جزء الأسهم: 29355

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210804SCL

جزء الأسهم: 24454

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804SCL

جزء الأسهم: 23911

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808SCL

جزء الأسهم: 25970

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101APAL

جزء الأسهم: 15312

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700PCL

جزء الأسهم: 15956

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210800ASCL

جزء الأسهم: 15057

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 Ohm, Vgs (th) (Max) @ Id: 10mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1108ESCL

جزء الأسهم: 21725

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1107SBL

جزء الأسهم: 23425

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212902PAL

جزء الأسهم: 29353

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808SCL

جزء الأسهم: 26409

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212902SAL

جزء الأسهم: 29339

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704ASCL

جزء الأسهم: 13718

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904PAL

جزء الأسهم: 28442

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808ASCL

جزء الأسهم: 18720

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702PCL

جزء الأسهم: 15966

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212914SAL

جزء الأسهم: 25558

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101BSAL

جزء الأسهم: 18970

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40mA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904ASAL

جزء الأسهم: 24434

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210814SCL

جزء الأسهم: 24460

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114935SAL

جزء الأسهم: 22242

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1107PBL

جزء الأسهم: 23483

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808APCL

جزء الأسهم: 18706

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110902PAL

جزء الأسهم: 21928

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (Max) @ Id: 220mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908ASAL

جزء الأسهم: 23494

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700SCL

جزء الأسهم: 17155

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210802PCL

جزء الأسهم: 24459

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708PCL

جزء الأسهم: 16006

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212904PAL

جزء الأسهم: 29385

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212900ASAL

جزء الأسهم: 24423

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 Ohm, Vgs (th) (Max) @ Id: 10mV @ 20µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808PCL

جزء الأسهم: 26482

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

125

«
1
2
3
4
»