الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

ALD1105SBL

جزء الأسهم: 23424

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1115PAL

جزء الأسهم: 27731

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1102PAL

جزء الأسهم: 18849

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

ALD1117PAL

جزء الأسهم: 27717

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD114835SCL

جزء الأسهم: 17031

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA,

ALD1101ASAL

جزء الأسهم: 12357

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

ALD1116PAL

جزء الأسهم: 27729

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1106PBL

جزء الأسهم: 23410

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111933SAL

جزء الأسهم: 23136

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

ALD1106SBL

جزء الأسهم: 23429

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1105PBL

جزء الأسهم: 23483

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910MAL

جزء الأسهم: 33453

ALD1116SAL

جزء الأسهم: 27725

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910SAL

جزء الأسهم: 38839

ALD111910PAL

جزء الأسهم: 38839

ALD1115MAL

جزء الأسهم: 31406

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111933MAL

جزء الأسهم: 33438

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,