الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

منزل، بيت
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904SAL

جزء الأسهم: 22935

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 360mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102APAL

جزء الأسهم: 12288

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110802SCL

جزء الأسهم: 19206

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (th) (Max) @ Id: 220mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1103PBL

جزء الأسهم: 17024

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40mA, 16mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114813SCL

جزء الأسهم: 18848

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933PAL

جزء الأسهم: 23126

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.35V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908PAL

جزء الأسهم: 31426

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900SAL

جزء الأسهم: 21983

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102ASAL

جزء الأسهم: 12301

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702APCL

جزء الأسهم: 13531

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210804PCL

جزء الأسهم: 24505

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102BSAL

جزء الأسهم: 18978

نوع FET: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702ASCL

جزء الأسهم: 13769

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210802SCL

جزء الأسهم: 24458

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913SAL

جزء الأسهم: 21986

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1108EPCL

جزء الأسهم: 21736

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704SCL

جزء الأسهم: 17106

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804ASCL

جزء الأسهم: 18441

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808PCL

جزء الأسهم: 26016

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1110ESAL

جزء الأسهم: 20569

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.01V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212914PAL

جزء الأسهم: 25540

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700ASCL

جزء الأسهم: 13763

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913PAL

جزء الأسهم: 27278

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.26V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908APAL

جزء الأسهم: 25518

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808ASCL

جزء الأسهم: 18900

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 810mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110804SCL

جزء الأسهم: 19158

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 420mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210814PCL

جزء الأسهم: 24429

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80mA, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 10µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904APAL

جزء الأسهم: 24412

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (th) (Max) @ Id: 380mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708APCL

جزء الأسهم: 13520

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 780mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110814PCL

جزء الأسهم: 24870

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115SAL

جزء الأسهم: 34315

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800SCL

جزء الأسهم: 28251

نوع FET: 4 N-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 20mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110914PAL

جزء الأسهم: 31443

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.42V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702SCL

جزء الأسهم: 17093

نوع FET: 4 P-Channel, Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 180mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114935PAL

جزء الأسهم: 27703

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Depletion Mode, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.45V @ 1µA,

قائمة الرغبات

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908SAL

جزء الأسهم: 31474

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 10.6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12mA, 3mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 820mV @ 1µA,

قائمة الرغبات

125

«
1
2
3
4
»