| يكتب | وصف |
| حالة الجزء | Active |
|---|---|
| نوع FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| ميزة FET | Logic Level Gate |
| استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 10.6V |
| التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 80mA |
| Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 20mV @ 10µA |
| بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | - |
| سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
| أقصى القوة | 500mW |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| نوع التركيب | Through Hole |
| العبوة / العلبة | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| حزمة جهاز المورد | 8-PDIP |
| وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
|---|---|
| مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
| حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
| فئة الأسهم | المخزون المتوفر |
