PMIC - بوابات السائقين

TC4451VOA

جزء الأسهم: 33595

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4424AVOA

جزء الأسهم: 42391

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4421AVAT

جزء الأسهم: 29544

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC5015YM-TR

جزء الأسهم: 42550

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 2.75V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4422ZT

جزء الأسهم: 25340

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4432EPA

جزء الأسهم: 33220

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

Maxim Integrated

MAX17601AUA+

جزء الأسهم: 40510

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

إلى قائمة الأمنيات

Maxim Integrated

MAX8702ETP+T

جزء الأسهم: 24850

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 28V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

Maxim Integrated

MAX627CSA+T

جزء الأسهم: 31940

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

LM25101ASD-1/NOPB

جزء الأسهم: 52081

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2813PG4

جزء الأسهم: 32699

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC27324DGNG4

جزء الأسهم: 46316

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC37322DGN

جزء الأسهم: 23684

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC37324DG4

جزء الأسهم: 46239

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC27321PG4

جزء الأسهم: 29032

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2830D

جزء الأسهم: 23693

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2832D

جزء الأسهم: 25670

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V,

إلى قائمة الأمنيات

SM74104MA/NOPB

جزء الأسهم: 23832

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6612AIBZ

جزء الأسهم: 33481

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

HIP2101IR4ZT

جزء الأسهم: 40905

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6208IBZ

جزء الأسهم: 38175

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.5V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

EL7457CLZ-T13

جزء الأسهم: 29481

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

HIP4082IBZTR5676

جزء الأسهم: 35617

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

HIP6601BCBZA-T

جزء الأسهم: 46701

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

EL7242CSZ-T7

جزء الأسهم: 43312

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

MC33151PG

جزء الأسهم: 48887

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.6V,

إلى قائمة الأمنيات

IRS2011SPBF

جزء الأسهم: 34776

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

IRS4427SPBF

جزء الأسهم: 49192

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

IR21094SPBF

جزء الأسهم: 27612

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

إلى قائمة الأمنيات

IRS2184SPBF

جزء الأسهم: 39586

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2106SPBF

جزء الأسهم: 37616

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

إلى قائمة الأمنيات