PMIC - بوابات السائقين

IR2304SPBF

جزء الأسهم: 47931

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2117PBF

جزء الأسهم: 28173

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

إلى قائمة الأمنيات

TLE7181EMXUMA1

جزء الأسهم: 43926

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 34V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR21084PBF

جزء الأسهم: 44099

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4451VOA713

جزء الأسهم: 44228

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4422AVOA

جزء الأسهم: 38208

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4425YN

جزء الأسهم: 40466

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4452VMF713

جزء الأسهم: 37914

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4600YML-T5

جزء الأسهم: 43053

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 28V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.65V, 1.4V,

إلى قائمة الأمنيات

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.3V, 1.7V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4467COE713

جزء الأسهم: 24051

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4452VM-TR

جزء الأسهم: 44709

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4608YM

جزء الأسهم: 42426

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

TPIC44H01DAG4

جزء الأسهم: 24599

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

إلى قائمة الأمنيات

LMG1205YFXT

جزء الأسهم: 5383

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

إلى قائمة الأمنيات

SN75372P

جزء الأسهم: 25809

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, 4.75V ~ 24V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC37321P

جزء الأسهم: 22982

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2818MDBVREP

جزء الأسهم: 44059

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

LM9061M/NOPB

جزء الأسهم: 23786

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 26V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.5V, 3.5V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC37322DG4

جزء الأسهم: 36683

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.1V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

UCC27323DGNG4

جزء الأسهم: 46277

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2812D

جزء الأسهم: 33671

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,

إلى قائمة الأمنيات

TPS2848PWP

جزء الأسهم: 17958

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6612BIRZ-T

جزء الأسهم: 36482

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

HIP6601BCBZ-T

جزء الأسهم: 46705

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6608CBZ

جزء الأسهم: 31100

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6612BCRZ

جزء الأسهم: 35629

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6615IRZ-T

جزء الأسهم: 34907

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL2110AR4Z

جزء الأسهم: 25729

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.4V,

إلى قائمة الأمنيات