تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,
تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 2.75V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,
تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,
تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 4V,