PMIC - بوابات السائقين

HIP4080AIPZ

جزء الأسهم: 13296

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6614CB

جزء الأسهم: 1893

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

EL7155CSZ

جزء الأسهم: 11916

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

EL7156CSZ-T7

جزء الأسهم: 11221

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

HIP2101IBZ

جزء الأسهم: 20504

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6614ACB

جزء الأسهم: 8278

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2136

جزء الأسهم: 9903

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2133STR

جزء الأسهم: 591

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR21814PBF

جزء الأسهم: 21181

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

IR21084STR

جزء الأسهم: 954

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2136JTRPBF

جزء الأسهم: 26760

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2132S

جزء الأسهم: 220

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2181S

جزء الأسهم: 952

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2101

جزء الأسهم: 9817

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2132PBF

جزء الأسهم: 10949

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2233JPBF

جزء الأسهم: 4925

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

IRS2110PBF

جزء الأسهم: 25095

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

إلى قائمة الأمنيات

Linear Technology/Analog Devices

IR2112-2

جزء الأسهم: 432

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC1163CS8#PBF

جزء الأسهم: 13648

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 3, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 1.8V ~ 6V,

إلى قائمة الأمنيات

Linear Technology/Analog Devices

LTC7003IMSE#PBF

جزء الأسهم: 13073

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 60V,

إلى قائمة الأمنيات

Linear Technology/Analog Devices

LT1910IS8#PBF

جزء الأسهم: 15948

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 48V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 3.5V,

إلى قائمة الأمنيات

Maxim Integrated

MAX626CSA+

جزء الأسهم: 26592

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

Maxim Integrated

MAX4427CSA

جزء الأسهم: 2314

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

Maxim Integrated

MAX4426ESA+

جزء الأسهم: 25260

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4467EOE

جزء الأسهم: 19900

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4422BN

جزء الأسهم: 2151

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4452ZT

جزء الأسهم: 20136

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4452BM

جزء الأسهم: 1862

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4468CPD

جزء الأسهم: 18851

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4102BM

جزء الأسهم: 2104

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات