PMIC - بوابات السائقين

IR2101S

جزء الأسهم: 9940

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2011PBF

جزء الأسهم: 25176

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IR4426STR

جزء الأسهم: 720

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2109S

جزء الأسهم: 10070

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2102SPBF

جزء الأسهم: 20796

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2113PBF

جزء الأسهم: 17344

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.3V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 6V, 9.5V,

إلى قائمة الأمنيات

IR2130

جزء الأسهم: 8073

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 5.25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 1.7V,

إلى قائمة الأمنيات

LM5100AM/NOPB

جزء الأسهم: 20704

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

إلى قائمة الأمنيات

UC2709N

جزء الأسهم: 10830

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

UC3705DTR

جزء الأسهم: 18817

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXDD404PI

جزء الأسهم: 1037

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXDD408CI

جزء الأسهم: 1090

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

MC33153DR2

جزء الأسهم: 1581

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 11V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 3.2V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FAN7393M

جزء الأسهم: 8947

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC7003HMSE#PBF

جزء الأسهم: 11742

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 60V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC1255IS8#TRPBF

جزء الأسهم: 16986

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 24V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC7000EMSE-1#PBF

جزء الأسهم: 13343

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 135V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC7000EMSE#PBF

جزء الأسهم: 12459

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 135V,

إلى قائمة الأمنيات

LTC1693-1IS8#PBF

جزء الأسهم: 17951

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America Inc.

LTC7000EMSE#TRPBF

جزء الأسهم: 21171

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 135V,

إلى قائمة الأمنيات

ISL6615AIBZ

جزء الأسهم: 17123

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America Inc.

ISL6700IB

جزء الأسهم: 1758

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America Inc.

EL7212CNZ

جزء الأسهم: 14927

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4469YN

جزء الأسهم: 19773

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

TC4469MJD

جزء الأسهم: 829

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC4420BN

جزء الأسهم: 2089

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

إلى قائمة الأمنيات

MIC5011YM-TR

جزء الأسهم: 22377

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.75V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 4.5V,

إلى قائمة الأمنيات