PMIC - بوابات السائقين

LTC3900IS8#TRPBF

جزء الأسهم: 22134

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 11V,

LTC1693-1CS8#PBF

جزء الأسهم: 20492

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 2.2V,

LTC7000MPMSE#TRPBF

جزء الأسهم: 7447

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 135V,

LTC1693-5CMS8#PBF

جزء الأسهم: 19774

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 2.2V,

LT1161ISW#TRPBF

جزء الأسهم: 17371

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 48V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

LTC3900HS8#TRPBF

جزء الأسهم: 20040

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 11V,

LT8672IMS#TRPBF

جزء الأسهم: 149

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3V ~ 42V,

LTC7000HMSE#PBF

جزء الأسهم: 10287

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 135V,

MAX15018AASA+

جزء الأسهم: 16718

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V,

IR2154

جزء الأسهم: 657

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V,

IR2103S

جزء الأسهم: 9930

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IR2133

جزء الأسهم: 9821

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

IR2136JTR

جزء الأسهم: 1015

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IR2133JPBF

جزء الأسهم: 9336

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

IR2105S

جزء الأسهم: 476

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IR2104STR

جزء الأسهم: 9978

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IR2184PBF

جزء الأسهم: 22071

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.7V,

IR2136J

جزء الأسهم: 218

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IR2302

جزء الأسهم: 1389

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.9V,

IR2153

جزء الأسهم: 9861

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 15.6V,

UCC27201ATDA3

جزء الأسهم: 15868

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

UC2706N

جزء الأسهم: 10208

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

UC2715N

جزء الأسهم: 738

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

TPIC44L01DB

جزء الأسهم: 749

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

UC3710DW

جزء الأسهم: 7296

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.7V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

UC2705N

جزء الأسهم: 7001

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

MLX83203KLW-DBA-000-RE

جزء الأسهم: 25050

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 28V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 1.5V,

FAN7382M

جزء الأسهم: 2497

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

UBA2033TS/N2,118

جزء الأسهم: 9743

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.5V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 4V; 3V, 6V,

TC4627EOE713

جزء الأسهم: 20052

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

TC4467CPD

جزء الأسهم: 18827

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MIC4416BM4 TR

جزء الأسهم: 8204

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

L9915

جزء الأسهم: 12510

E-L6386D

جزء الأسهم: 2454

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 17V (Max), الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.5V, 3.6V,

ISL89163FRTAZ

جزء الأسهم: 18933

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

HIP2100IBZ

جزء الأسهم: 20534

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 4V, 7V,