PMIC - بوابات السائقين

EB01-FS450R12KE3

جزء الأسهم: 1146

EB01-FS225R12KE3

جزء الأسهم: 2968

IGD515EI

جزء الأسهم: 498

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.9V, 3.8V,

EB01-FS450R17KE3

جزء الأسهم: 1207

CSD123

جزء الأسهم: 1091

MAX5057AASA

جزء الأسهم: 324

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

MAX5063BASA-T

جزء الأسهم: 480

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

MAX4427ESA-T

جزء الأسهم: 9054

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MAX5062BASA

جزء الأسهم: 1201

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V,

MAX4427MJA/883B

جزء الأسهم: 3364

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MAX5056AASA-T

جزء الأسهم: 2835

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

MAX4429ESA

جزء الأسهم: 1091

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MAX4420MJA/883B

جزء الأسهم: 3799

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

LM5111-1MX

جزء الأسهم: 2480

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM2722MX

جزء الأسهم: 606

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 7V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

LM5102MM

جزء الأسهم: 10077

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM9061MX

جزء الأسهم: 10052

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 26V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.5V, 3.5V,

IR2137J

جزء الأسهم: 1998

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 3, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 12.5V ~ 20V,

IR2111STR

جزء الأسهم: 1920

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 8.3V, 12.6V,

IRS2332B

جزء الأسهم: 873

MAQ4125YME-TRVAO

جزء الأسهم: 9033

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MIC4423CWM

جزء الأسهم: 2152

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MIC4479YM-TR

جزء الأسهم: 74202

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MCP1415T-E/MC

جزء الأسهم: 272

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

VLA513-01R

جزء الأسهم: 719

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14V ~ 15V,

VLA552-01R

جزء الأسهم: 663

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.2V ~ 15.8V,

VLA546-01R

جزء الأسهم: 203

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14V ~ 17V,

VLA553-01R

جزء الأسهم: 389

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.2V ~ 15.8V,

IXRFD630

جزء الأسهم: 3210

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

NCP5901EMNTBG

جزء الأسهم: 583

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 3.4V,

FAN7393AM

جزء الأسهم: 2790

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

CS8312YN8

جزء الأسهم: 2095

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 10V,

L6743B

جزء الأسهم: 2884

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 12V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

MC33395TDWBR2

جزء الأسهم: 1854

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 24V,

MC33395DWBR2

جزء الأسهم: 3030

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 24V,

IXDI502PI

جزء الأسهم: 2343

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,