PMIC - بوابات السائقين

IXDN604WW

جزء الأسهم: 857

MAX5063DASA-T

جزء الأسهم: 455

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

MAX5063CASA-T

جزء الأسهم: 9104

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

MAX5056BASA-T

جزء الأسهم: 379

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

IRS26320JTRPBF

جزء الأسهم: 9136

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 12V ~ 20V,

IRS2332JPBF

جزء الأسهم: 2675

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

UCC27201QDDARQ1

جزء الأسهم: 2587

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

LM5110-3MX

جزء الأسهم: 9963

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5101BSD

جزء الأسهم: 9983

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

LM5109ASD

جزء الأسهم: 134

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5100CSDX

جزء الأسهم: 2789

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

LM5105SDX

جزء الأسهم: 9908

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5110-2M

جزء الأسهم: 9803

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5111-2MYX

جزء الأسهم: 9981

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

ISL89164FBECZ-T

جزء الأسهم: 2720

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.4V, 9.6V,

HIP6602BCR-T

جزء الأسهم: 9272

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

HIP4081AIP

جزء الأسهم: 2038

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,

PX3511ADDG

جزء الأسهم: 2647

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6597CRZ

جزء الأسهم: 2437

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V,

ISL78420ARTBZ-T

جزء الأسهم: 582

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 4V,

ISL78420ARTAZ

جزء الأسهم: 9101

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 4V,

EB01-FS450R12KE4

جزء الأسهم: 1230

CSD108

جزء الأسهم: 1321

EB01-FS150R17KE3G

جزء الأسهم: 1143

UBA2032TS/N2,118

جزء الأسهم: 1833

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.5V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 4V; 3V, 6V,

MC33285D

جزء الأسهم: 1817

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 1.7V,

MCZ33883EGR2

جزء الأسهم: 1815

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 55V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

NCP5911MNTBG

جزء الأسهم: 9707

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 3.3V,

FAN7390M1

جزء الأسهم: 2665

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 22V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 2.5V,

RT7027GS

جزء الأسهم: 1568

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

M57161L-01

جزء الأسهم: 2014

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, الجهد - العرض: 14.3V ~ 15.7V,

TC4423MJA

جزء الأسهم: 4061

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

TC4427AMJA

جزء الأسهم: 2041

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MIC4429BMM-TR

جزء الأسهم: 2178

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IXZ631DF12N100

جزء الأسهم: 1168

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

IXDI514SIA

جزء الأسهم: 2463

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2.5V,