PMIC - بوابات السائقين

NCP5901GMNTBG

NCP5901GMNTBG

جزء الأسهم: 137715

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 3.4V,

NCP81051MNTBG

NCP81051MNTBG

جزء الأسهم: 9292

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 3.3V,

NCP5359AMNR2G

NCP5359AMNR2G

جزء الأسهم: 9680

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

MC33152P

MC33152P

جزء الأسهم: 2074

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.1V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.6V,

LM5101BSDX

LM5101BSDX

جزء الأسهم: 9867

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

LM5101AM

LM5101AM

جزء الأسهم: 9741

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

LM5100CMAX

LM5100CMAX

جزء الأسهم: 9067

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

TPS2835PWPRG4

TPS2835PWPRG4

جزء الأسهم: 2516

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1V, 2V,

LM5106SD

LM5106SD

جزء الأسهم: 122

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5106SDX

LM5106SDX

جزء الأسهم: 9901

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5110-2SDX

LM5110-2SDX

جزء الأسهم: 10007

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

LM5112MY

LM5112MY

جزء الأسهم: 123

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 3.5V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.3V,

LM5101AMX

LM5101AMX

جزء الأسهم: 9982

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

LM5100CSDX/NOPB

LM5100CSDX/NOPB

جزء الأسهم: 2587

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2.3V, -,

LM5102SDX

LM5102SDX

جزء الأسهم: 2818

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 9V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.2V,

UCC27201ATDA2

UCC27201ATDA2

جزء الأسهم: 3230

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

ISL6614CRZAR5214

ISL6614CRZAR5214

جزء الأسهم: 2617

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

ISL6614IB

ISL6614IB

جزء الأسهم: 2074

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 10.8V ~ 13.2V,

ISL89160FRTAZ

ISL89160FRTAZ

جزء الأسهم: 2771

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 16V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.22V, 2.08V,

ISL6615CBZ

ISL6615CBZ

جزء الأسهم: 2667

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.8V ~ 13.2V,

HIP2122FRTBZ

HIP2122FRTBZ

جزء الأسهم: 9599

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 14V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3.7V, 7.93V,

TC4420MJA

TC4420MJA

جزء الأسهم: 4630

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MCP1415T-E/OTVAO

MCP1415T-E/OTVAO

جزء الأسهم: 1529

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MIC4480YME-T5

MIC4480YME-T5

جزء الأسهم: 730

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 32V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MCP1406-E/MFVAO

MCP1406-E/MFVAO

جزء الأسهم: 9209

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

IXDN402SI

IXDN402SI

جزء الأسهم: 2507

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 35V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IXDN502D1T/R

IXDN502D1T/R

جزء الأسهم: 2335

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 30V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3V,

IX4340NETR

IX4340NETR

جزء الأسهم: 944

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.5V,

MAX4429MJA/883B

MAX4429MJA/883B

جزء الأسهم: 2877

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MAX4429ESA-T

MAX4429ESA-T

جزء الأسهم: 9113

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

MAX5064BATC-T

MAX5064BATC-T

جزء الأسهم: 499

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

IPN10ELSXUMA1

IPN10ELSXUMA1

جزء الأسهم: 100516

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 40V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

IXRFDSM607X2

IXRFDSM607X2

جزء الأسهم: 126

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 3.5V,

MCZ33198EFR2

MCZ33198EFR2

جزء الأسهم: 9273

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.5V, 3.5V,

MCZ33198EF

MCZ33198EF

جزء الأسهم: 1894

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7V ~ 20V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.5V, 3.5V,

MC33395EW

MC33395EW

جزء الأسهم: 1805

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: 3-Phase, عدد السائقين: 6, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5.5V ~ 24V,