مدمج - FPGAs (مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميد

10AX022C4U19E3LG

10AX022C4U19E3LG

جزء الأسهم: 80

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E4F29E3SG

10AX022E4F29E3SG

جزء الأسهم: 146

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F27E2SG

10AX016E3F27E2SG

جزء الأسهم: 147

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E4F29I3SG

10AX016E4F29I3SG

جزء الأسهم: 171

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022C4U19I3SG

10AX022C4U19I3SG

جزء الأسهم: 87

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016C3U19I2SG

10AX016C3U19I2SG

جزء الأسهم: 213

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016C4U19I3LG

10AX016C4U19I3LG

جزء الأسهم: 198

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016E4F27E3LG

10AX016E4F27E3LG

جزء الأسهم: 163

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E4F27E3SG

10AX022E4F27E3SG

جزء الأسهم: 94

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E4F27I3SG

10AX016E4F27I3SG

جزء الأسهم: 237

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016C3U19E2SG

10AX016C3U19E2SG

جزء الأسهم: 199

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E4F29E3SG

10AX016E4F29E3SG

جزء الأسهم: 238

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022C4U19E3SG

10AX022C4U19E3SG

جزء الأسهم: 61

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016C4U19E3LG

10AX016C4U19E3LG

جزء الأسهم: 246

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016C4U19I3SG

10AX016C4U19I3SG

جزء الأسهم: 201

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016E4F27E3SG

10AX016E4F27E3SG

جزء الأسهم: 263

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016C4U19E3SG

10AX016C4U19E3SG

جزء الأسهم: 231

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10CX220YF780I5G

10CX220YF780I5G

جزء الأسهم: 122

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF672I5G

10CX220YF672I5G

جزء الأسهم: 88

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF780I6G

10CX220YF780I6G

جزء الأسهم: 349

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF780E5G

10CX220YF780E5G

جزء الأسهم: 155

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF672E5G

10CX220YF672E5G

جزء الأسهم: 88

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF672I6G

10CX220YF672I6G

جزء الأسهم: 155

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF780E6G

10CX220YF780E6G

جزء الأسهم: 205

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YU484I5G

10CX220YU484I5G

جزء الأسهم: 103

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 188, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YF672E6G

10CX220YF672E6G

جزء الأسهم: 157

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YU484I6G

10CX220YU484I6G

جزء الأسهم: 713

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 188, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YU484E5G

10CX220YU484E5G

جزء الأسهم: 170

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 188, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YF780I5G

10CX150YF780I5G

جزء الأسهم: 133

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YF672I5G

10CX150YF672I5G

جزء الأسهم: 101

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YF780I6G

10CX150YF780I6G

جزء الأسهم: 102

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX220YU484E6G

10CX220YU484E6G

جزء الأسهم: 176

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 188, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YF780E5G

10CX150YF780E5G

جزء الأسهم: 115

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 284, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YF672E5G

10CX150YF672E5G

جزء الأسهم: 112

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YF672I6G

10CX150YF672I6G

جزء الأسهم: 86

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 236, الجهد - العرض: 0.9V,

10CX150YU484I5G

10CX150YU484I5G

جزء الأسهم: 103

عدد LABs / CLBs: 54770, عدد عناصر / خلايا المنطق: 150000, إجمالي بت RAM: 10907648, رقم I / O: 188, الجهد - العرض: 0.9V,