مدمج - FPGAs (مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميد

10AX027E2F27E2LG

10AX027E2F27E2LG

جزء الأسهم: 5792

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027H4F35E3LG

10AX027H4F35E3LG

جزء الأسهم: 130

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027H4F34E3LG

10AX027H4F34E3LG

جزء الأسهم: 578

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E3F29I2SG

10AX027E3F29I2SG

جزء الأسهم: 141

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX032E4F29E3LG

10AX032E4F29E3LG

جزء الأسهم: 5503

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E4F29I3LG

10AX027E4F29I3LG

جزء الأسهم: 5285

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027H4F35I3SG

10AX027H4F35I3SG

جزء الأسهم: 175

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX032E4F29I3SG

10AX032E4F29I3SG

جزء الأسهم: 5213

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027H4F34I3SG

10AX027H4F34I3SG

جزء الأسهم: 110

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX032H4F34E3SG

10AX032H4F34E3SG

جزء الأسهم: 109

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX032E3F27E2SG

10AX032E3F27E2SG

جزء الأسهم: 99

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX032H4F35E3SG

10AX032H4F35E3SG

جزء الأسهم: 124

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E2F27E1HG

10AX027E2F27E1HG

جزء الأسهم: 172

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E2F27I2SG

10AX027E2F27I2SG

جزء الأسهم: 109

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E3F27E2LG

10AX027E3F27E2LG

جزء الأسهم: 506

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E2F29E2SG

10AX027E2F29E2SG

جزء الأسهم: 135

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E3F29I2LG

10AX022E3F29I2LG

جزء الأسهم: 115

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX032E4F27E3LG

10AX032E4F27E3LG

جزء الأسهم: 4592

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E3F27I2SG

10AX027E3F27I2SG

جزء الأسهم: 138

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX032E4F27I3SG

10AX032E4F27I3SG

جزء الأسهم: 144

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E3F27I2LG

10AX022E3F27I2LG

جزء الأسهم: 83

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E3F29E2SG

10AX027E3F29E2SG

جزء الأسهم: 144

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E4F27I3LG

10AX027E4F27I3LG

جزء الأسهم: 3872

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E3F29I1HG

10AX022E3F29I1HG

جزء الأسهم: 110

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E2F27E2SG

10AX027E2F27E2SG

جزء الأسهم: 77

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E4F29E3LG

10AX027E4F29E3LG

جزء الأسهم: 3566

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027H4F35E3SG

10AX027H4F35E3SG

جزء الأسهم: 114

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027H4F34E3SG

10AX027H4F34E3SG

جزء الأسهم: 80

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 384, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX032E4F29E3SG

10AX032E4F29E3SG

جزء الأسهم: 144

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E3F29E2LG

10AX022E3F29E2LG

جزء الأسهم: 3280

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E3F27I1HG

10AX022E3F27I1HG

جزء الأسهم: 111

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E4F29I3SG

10AX027E4F29I3SG

جزء الأسهم: 176

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F29I2LG

10AX016E3F29I2LG

جزء الأسهم: 152

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022C3U19I2LG

10AX022C3U19I2LG

جزء الأسهم: 175

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E3F27E2SG

10AX027E3F27E2SG

جزء الأسهم: 126

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E3F29E1HG

10AX022E3F29E1HG

جزء الأسهم: 164

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,