مدمج - FPGAs (مصفوفة البوابة القابلة للبرمجة الميد

10AX022E3F29I2SG

10AX022E3F29I2SG

جزء الأسهم: 141

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E3F27E2LG

10AX022E3F27E2LG

جزء الأسهم: 2717

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX032E4F27E3SG

10AX032E4F27E3SG

جزء الأسهم: 136

عدد LABs / CLBs: 119900, عدد عناصر / خلايا المنطق: 320000, إجمالي بت RAM: 21040128, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E4F29I3LG

10AX022E4F29I3LG

جزء الأسهم: 2419

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E4F27E3LG

10AX027E4F27E3LG

جزء الأسهم: 269

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F27I2LG

10AX016E3F27I2LG

جزء الأسهم: 148

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F29I1HG

10AX016E3F29I1HG

جزء الأسهم: 195

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E3F27I2SG

10AX022E3F27I2SG

جزء الأسهم: 126

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E3F27E1HG

10AX022E3F27E1HG

جزء الأسهم: 106

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX027E4F27I3SG

10AX027E4F27I3SG

جزء الأسهم: 115

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E4F27I3LG

10AX022E4F27I3LG

جزء الأسهم: 1693

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F29E2LG

10AX016E3F29E2LG

جزء الأسهم: 123

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E4F29E3SG

10AX027E4F29E3SG

جزء الأسهم: 126

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 360, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F27I1HG

10AX016E3F27I1HG

جزء الأسهم: 183

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022C3U19E2LG

10AX022C3U19E2LG

جزء الأسهم: 87

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E3F29E2SG

10AX022E3F29E2SG

جزء الأسهم: 132

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016E3F29E1HG

10AX016E3F29E1HG

جزء الأسهم: 200

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F29I2SG

10AX016E3F29I2SG

جزء الأسهم: 150

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E4F29E3LG

10AX022E4F29E3LG

جزء الأسهم: 721

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F27E2LG

10AX016E3F27E2LG

جزء الأسهم: 154

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022C3U19I2SG

10AX022C3U19I2SG

جزء الأسهم: 160

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E3F27E2SG

10AX022E3F27E2SG

جزء الأسهم: 123

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016E4F29I3LG

10AX016E4F29I3LG

جزء الأسهم: 165

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016C3U19I2LG

10AX016C3U19I2LG

جزء الأسهم: 164

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022C4U19I3LG

10AX022C4U19I3LG

جزء الأسهم: 112

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E4F29I3SG

10AX022E4F29I3SG

جزء الأسهم: 158

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX027E4F27E3SG

10AX027E4F27E3SG

جزء الأسهم: 130

عدد LABs / CLBs: 101620, عدد عناصر / خلايا المنطق: 270000, إجمالي بت RAM: 17870848, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022E4F27E3LG

10AX022E4F27E3LG

جزء الأسهم: 9947

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F27I2SG

10AX016E3F27I2SG

جزء الأسهم: 220

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F27E1HG

10AX016E3F27E1HG

جزء الأسهم: 221

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016E4F27I3LG

10AX016E4F27I3LG

جزء الأسهم: 204

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX022E4F27I3SG

10AX022E4F27I3SG

جزء الأسهم: 150

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E3F29E2SG

10AX016E3F29E2SG

جزء الأسهم: 195

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX022C3U19E2SG

10AX022C3U19E2SG

جزء الأسهم: 111

عدد LABs / CLBs: 80330, عدد عناصر / خلايا المنطق: 220000, إجمالي بت RAM: 13752320, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,

10AX016C3U19E2LG

10AX016C3U19E2LG

جزء الأسهم: 156

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 240, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.98V,

10AX016E4F29E3LG

10AX016E4F29E3LG

جزء الأسهم: 240

عدد LABs / CLBs: 61510, عدد عناصر / خلايا المنطق: 160000, إجمالي بت RAM: 10086400, رقم I / O: 288, الجهد - العرض: 0.87V ~ 0.93V,