Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

BAS16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16-G3-08

جزء الأسهم: 185466

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 75V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 150mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات
BAL99-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-08

جزء الأسهم: 175504

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات
BAL99-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAL99-E3-18

جزء الأسهم: 164062

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات
BAS19-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS19-E3-18

جزء الأسهم: 178973

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BAV200-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS18

جزء الأسهم: 153471

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BAV201-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV201-GS18

جزء الأسهم: 172005

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BAV200-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV200-GS08

جزء الأسهم: 158649

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
VS-1N3891R
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3891R

جزء الأسهم: 14617

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
VS-70HFR120
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-70HFR120

جزء الأسهم: 9505

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 220A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-300U30A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-300U30A

جزء الأسهم: 1921

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 942A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-240UR80D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240UR80D

جزء الأسهم: 1530

نوع الصمام الثنائي: Standard, Reverse Polarity, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 750A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-20ETS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS08SPBF

جزء الأسهم: 25294

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 95ns,

قائمة الرغبات
VS-18TQ045SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-18TQ045SPBF

جزء الأسهم: 43609

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-1N3209
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3209

جزء الأسهم: 12937

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-40HFL100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HFL100S05

جزء الأسهم: 5411

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.95V @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 500ns,

قائمة الرغبات
VS-15TT100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15TT100

جزء الأسهم: 125688

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-20ETF12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF12FP-M3

جزء الأسهم: 11184

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 400ns,

قائمة الرغبات
EGL41B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41B/1

جزء الأسهم: 198616

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
UH1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH1PD-M3/85A

جزء الأسهم: 190343

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

قائمة الرغبات
VS-20ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETS12S-M3

جزء الأسهم: 33360

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-SD1100C12C
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-SD1100C12C

جزء الأسهم: 1247

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1400A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.31V @ 1500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GP10J-4005HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005HE3/54

جزء الأسهم: 161380

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
EGL34G/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL34G/51

جزء الأسهم: 119255

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
MUR160/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

MUR160/54

جزء الأسهم: 161367

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
VS-1N3893
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3893

جزء الأسهم: 10697

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
VS-20ETF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF04-M3

جزء الأسهم: 10805

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 160ns,

قائمة الرغبات
RGL34D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

RGL34D/1

جزء الأسهم: 134851

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 150ns,

قائمة الرغبات
VS-40HF100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF100

جزء الأسهم: 7355

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SD453N16S30PC
Vishay Semiconductor Diodes Division

SD453N16S30PC

جزء الأسهم: 664

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 450A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.85V @ 1500A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 3µs,

قائمة الرغبات
EGL41D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

EGL41D/1

جزء الأسهم: 141735

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
GP10K-4006EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10K-4006EHE3/54

جزء الأسهم: 117977

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-ETH1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ETH1506S-M3

جزء الأسهم: 46686

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.45V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 29ns,

قائمة الرغبات
VS-40HF60
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40HF60

جزء الأسهم: 8993

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GP10J-4005EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

GP10J-4005EHE3/54

جزء الأسهم: 133740

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GL41Y/1
Vishay Semiconductor Diodes Division

GL41Y/1

جزء الأسهم: 114302

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-240U120D
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-240U120D

جزء الأسهم: 1800

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 320A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.33V @ 750A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات