Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

جزء الأسهم: 163646

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

جزء الأسهم: 164701

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 25V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

جزء الأسهم: 120803

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

جزء الأسهم: 32260

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

جزء الأسهم: 152834

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

جزء الأسهم: 179080

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

جزء الأسهم: 111335

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 75V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

جزء الأسهم: 106669

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

جزء الأسهم: 155089

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

جزء الأسهم: 142318

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

جزء الأسهم: 170231

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

جزء الأسهم: 136941

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

جزء الأسهم: 34922

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

جزء الأسهم: 34902

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

جزء الأسهم: 101393

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

جزء الأسهم: 123083

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

جزء الأسهم: 116833

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 1.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

جزء الأسهم: 158520

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 2400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 350mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.6V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 5µs,

قائمة الرغبات
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

جزء الأسهم: 193530

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

جزء الأسهم: 170950

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

جزء الأسهم: 122124

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

جزء الأسهم: 153002

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 600mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 400mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

جزء الأسهم: 121947

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

جزء الأسهم: 187035

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

جزء الأسهم: 129989

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

جزء الأسهم: 171441

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

جزء الأسهم: 152678

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

جزء الأسهم: 122331

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 250ns,

قائمة الرغبات
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

جزء الأسهم: 144972

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

جزء الأسهم: 183532

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

جزء الأسهم: 134544

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 600mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 400mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 6ns,

قائمة الرغبات
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

جزء الأسهم: 169957

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

جزء الأسهم: 177773

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

جزء الأسهم: 121386

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

جزء الأسهم: 139081

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 165V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.07V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

جزء الأسهم: 181381

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.07V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات