Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

BYT51G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51G-TR

جزء الأسهم: 108131

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BY203-16STAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-16STAP

جزء الأسهم: 136970

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BY203-20STR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY203-20STR

جزء الأسهم: 118044

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 2000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYT54B-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TR

جزء الأسهم: 167643

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYT54G-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TAP

جزء الأسهم: 143810

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYT51K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TAP

جزء الأسهم: 146683

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYW33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TR

جزء الأسهم: 150277

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYV16-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TAP

جزء الأسهم: 117767

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYV15-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV15-TAP

جزء الأسهم: 146909

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TR

جزء الأسهم: 166400

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYT54J-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54J-TAP

جزء الأسهم: 131415

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYT54K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54K-TAP

جزء الأسهم: 128469

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYX86TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TR

جزء الأسهم: 169144

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYW34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW34-TAP

جزء الأسهم: 116076

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYW33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW33-TAP

جزء الأسهم: 105440

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYT51K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT51K-TR

جزء الأسهم: 182442

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYV16-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV16-TR

جزء الأسهم: 179220

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYV37-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV37-TAP

جزء الأسهم: 150638

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYT54B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54B-TAP

جزء الأسهم: 199187

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYT54G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54G-TR

جزء الأسهم: 134763

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYV14-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV14-TR

جزء الأسهم: 153828

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
BYT52D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52D-TAP

جزء الأسهم: 150232

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYT53G-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53G-TR

جزء الأسهم: 132124

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX85TAP

جزء الأسهم: 142054

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYT53D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53D-TAP

جزء الأسهم: 196848

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BYW32-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TAP

جزء الأسهم: 187387

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYT52K-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TAP

جزء الأسهم: 163520

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYT54A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TAP

جزء الأسهم: 169667

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYT53A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT53A-TR

جزء الأسهم: 125422

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.9A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
BYT54A-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54A-TR

جزء الأسهم: 135093

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYW52-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW52-TAP

جزء الأسهم: 182850

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYV27-050-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-050-TAP

جزء الأسهم: 172017

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 55V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.07V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
BYT54D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54D-TAP

جزء الأسهم: 111860

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
BYW55-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TR

جزء الأسهم: 170956

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 4µs,

قائمة الرغبات
BYW35-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW35-TAP

جزء الأسهم: 181459

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات
BYT52K-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52K-TR

جزء الأسهم: 162625

نوع الصمام الثنائي: Avalanche, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 200ns,

قائمة الرغبات