الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 18

SI4913DY-T1-E3

جزء الأسهم: 2758

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 500µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIB914DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 2810

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4226DY-T1-E3

جزء الأسهم: 2801

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19.5 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7270DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 139888

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1035X-T1-E3

جزء الأسهم: 2711

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180mA, 145mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5902DC-T1-E3

جزء الأسهم: 2714

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI6925ADQ-T1-E3

جزء الأسهم: 2762

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 45 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7945DP-T1-E3

جزء الأسهم: 2759

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI6967DQ-T1-E3

جزء الأسهم: 2864

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA915DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 188602

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1024X-T1-E3

جزء الأسهم: 3329

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 485mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1988DH-T1-E3

جزء الأسهم: 3369

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5980DU-T1-GE3

جزء الأسهم: 2827

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 567 mOhm @ 400mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7946DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 2835

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ9945AEY-T1-E3

جزء الأسهم: 2873

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIZ920DT-T1-GE3

جزء الأسهم: 87034

نوع FET: 2 N-Channel (Half Bridge), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5933CDC-T1-E3

جزء الأسهم: 194649

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 144 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA914DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 2803

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-E3

جزء الأسهم: 177519

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-E3

جزء الأسهم: 159065

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQJ914EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 2508

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5948DU-T1-GE3

جزء الأسهم: 153924

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 82 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIS990DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 178823

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.1A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 85 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7220DN-T1-E3

جزء الأسهم: 82356

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQJ946EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 173017

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIS903DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 2575

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20.1 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA921EDJ-T4-GE3

جزء الأسهم: 178268

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI5504BDC-T1-E3

جزء الأسهم: 163999

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIS932EDN-T1-GE3

جزء الأسهم: 2519

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQJB90EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 141525

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4564DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 118890

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A, 9.2A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ4920EY-T1_GE3

جزء الأسهم: 97887

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14.5 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3993CDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 136053

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 111 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4559ADY-T1-GE3

جزء الأسهم: 141946

نوع FET: N and P-Channel, ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A, 3.9A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3932DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 199469

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ1912AEEH-T1_GE3

جزء الأسهم: 2494

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 800mA (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

قائمة الرغبات