Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/45

جزء الأسهم: 107532

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16ATHE3/45

جزء الأسهم: 90046

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18CCT-E3/45

جزء الأسهم: 97942

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10GCT-E3/45

جزء الأسهم: 143721

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GSD2004C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-18

جزء الأسهم: 141499

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 240V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 225mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-E3-18

جزء الأسهم: 111184

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 240V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 225mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-HE3-18

جزء الأسهم: 198916

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 240V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 225mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16HT-E3/45

جزء الأسهم: 87593

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB18ACTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACTHE3/45

جزء الأسهم: 90754

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCT-E3/45

جزء الأسهم: 126140

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB18DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/81

جزء الأسهم: 78616

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/45

جزء الأسهم: 84428

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPF16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16BTHE3/45

جزء الأسهم: 83672

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB10CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCT-E3/81

جزء الأسهم: 99554

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16HTHE3/45

جزء الأسهم: 83658

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/45

جزء الأسهم: 130498

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16BTHE3/45

جزء الأسهم: 89969

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GT-E3/45

جزء الأسهم: 84414

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10DCTHE3/45

جزء الأسهم: 116321

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEP30BP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30BP-E3/45

جزء الأسهم: 58565

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGF18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18DCT-E3/45

جزء الأسهم: 100240

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16HT-E3/45

جزء الأسهم: 96088

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18DCT-E3/45

جزء الأسهم: 97938

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/81

جزء الأسهم: 68801

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10CCT-E3/45

جزء الأسهم: 153979

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCTHE3/45

جزء الأسهم: 3388

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG30BPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30BPT-E3/45

جزء الأسهم: 34503

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB10BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCT-E3/81

جزء الأسهم: 99573

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGF18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18CCTHE3/45

جزء الأسهم: 96909

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HT-E3/81

جزء الأسهم: 69932

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPF16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16BT-E3/45

جزء الأسهم: 86860

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-8CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CVH02-M3/I

جزء الأسهم: 4413

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.14V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16AT-E3/45

جزء الأسهم: 90898

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
GIB2403HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403HE3/45

جزء الأسهم: 87474

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 975mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGB18ACT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACT-E3/81

جزء الأسهم: 78600

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 9A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GTHE3/45

جزء الأسهم: 82984

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات