Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

UG10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10DCTHE3/45

جزء الأسهم: 135415

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGF8HCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF8HCT-E3/45

جزء الأسهم: 94817

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEPF6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF6DT-E3/45

جزء الأسهم: 137812

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 975mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SBLB2040CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

SBLB2040CT-E3/45

جزء الأسهم: 4026

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRB2545CTTRRP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2545CTTRRP

جزء الأسهم: 34746

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB15H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB15H45CTHE3/45

جزء الأسهم: 4010

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 630mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB1545CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1545CTHE3/45

جزء الأسهم: 3986

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR30H35CT-E3/45

جزء الأسهم: 4475

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UB10CCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UB10CCT-E3/8W

جزء الأسهم: 145959

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEP16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16DTHE3/45

جزء الأسهم: 90842

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UG10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10BCTHE3/45

جزء الأسهم: 135391

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF10H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF10H90CT-E3/45

جزء الأسهم: 3995

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
UGF8HCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF8HCTHE3/45

جزء الأسهم: 94860

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB30H100CTHE3/81

جزء الأسهم: 4405

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
V60200PGW-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division

V60200PGW-M3/4W

جزء الأسهم: 23375

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.48V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-20CTQ045STRRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ045STRRPBF

جزء الأسهم: 41732

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MURB1020CTTRLP
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CTTRLP

جزء الأسهم: 99958

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 990mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB1560CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB1560CTHE3/81

جزء الأسهم: 3933

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF1535CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1535CT-E3/45

جزء الأسهم: 3997

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-12CWQ04FNTRLPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ04FNTRLPBF

جزء الأسهم: 4429

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRF1550CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRF1550CTHE3/45

جزء الأسهم: 3992

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB10H100CT/31
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB10H100CT/31

جزء الأسهم: 3714

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 760mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-20CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CTQ040PBF

جزء الأسهم: 56601

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 640mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB2535CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBRB2535CTTRR

جزء الأسهم: 3675

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSKC320-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC320-08

جزء الأسهم: 3660

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 320A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSKC250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKC250-08

جزء الأسهم: 3658

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 800V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-81CNQ040ASMPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81CNQ040ASMPBF

جزء الأسهم: 11402

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
HFA180MD60D
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA180MD60D

جزء الأسهم: 3605

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRB1545CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB1545CTPBF

جزء الأسهم: 81890

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
IRKJ56/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKJ56/06A

جزء الأسهم: 3585

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-MBRB20100CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTPBF

جزء الأسهم: 35637

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-30CTQ080PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ080PBF

جزء الأسهم: 76406

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 860mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
IRKD91/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD91/10A

جزء الأسهم: 3614

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FEP16GT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16GT/45

جزء الأسهم: 3593

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VSKD600-20
Vishay Semiconductor Diodes Division

VSKD600-20

جزء الأسهم: 4431

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 2000V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 600A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.24V @ 1800A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
VS-52CPQ030PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-52CPQ030PBF

جزء الأسهم: 10063

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 480mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات