Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IRL510SPBF
Vishay Siliconix

IRL510SPBF

جزء الأسهم: 98875

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 3.4A, 5V,

قائمة الرغبات
SIHB12N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHB12N50E-GE3

جزء الأسهم: 27872

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIS402DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS402DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 80914

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4160DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4160DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 124223

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR110TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR110TRLPBF

جزء الأسهم: 118950

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR210TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR210TRLPBF

جزء الأسهم: 67208

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR402DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR402DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 80883

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1031X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1031X-T1-GE3

جزء الأسهم: 175616

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 155mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
IRL540STRLPBF
Vishay Siliconix

IRL540STRLPBF

جزء الأسهم: 42208

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 77 mOhm @ 17A, 5V,

قائمة الرغبات
SIHG17N60D-GE3
Vishay Siliconix

SIHG17N60D-GE3

جزء الأسهم: 28402

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 340 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF730ASPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASPBF

جزء الأسهم: 66

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR9020TRLPBF
Vishay Siliconix

IRFR9020TRLPBF

جزء الأسهم: 79488

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 5.7A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR210TRPBF
Vishay Siliconix

IRFR210TRPBF

جزء الأسهم: 191304

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR800DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR800DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 154

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7634BDP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7634BDP-T1-E3

جزء الأسهم: 128249

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFU220PBF
Vishay Siliconix

IRFU220PBF

جزء الأسهم: 48180

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 2.9A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFBF20STRLPBF
Vishay Siliconix

IRFBF20STRLPBF

جزء الأسهم: 52759

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLIZ24GPBF
Vishay Siliconix

IRLIZ24GPBF

جزء الأسهم: 135

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

قائمة الرغبات
IRFD224
Vishay Siliconix

IRFD224

جزء الأسهم: 70768

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 630mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 380mA, 10V,

قائمة الرغبات
IRF9Z34STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF9Z34STRRPBF

جزء الأسهم: 43986

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHFS11N50A-GE3
Vishay Siliconix

SIHFS11N50A-GE3

جزء الأسهم: 131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 520 mOhm @ 6.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFZ24STRRPBF
Vishay Siliconix

IRFZ24STRRPBF

جزء الأسهم: 52678

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7658ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7658ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 47683

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLZ14PBF
Vishay Siliconix

IRLZ14PBF

جزء الأسهم: 73294

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
IRFD420PBF
Vishay Siliconix

IRFD420PBF

جزء الأسهم: 35740

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 370mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 220mA, 10V,

قائمة الرغبات
SI4835DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4835DDY-T1-GE3

جزء الأسهم: 180820

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF614PBF
Vishay Siliconix

IRF614PBF

جزء الأسهم: 96706

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF820LPBF
Vishay Siliconix

IRF820LPBF

جزء الأسهم: 77845

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR120TRRPBF
Vishay Siliconix

IRLR120TRRPBF

جزء الأسهم: 99710

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 4.6A, 5V,

قائمة الرغبات
SIHP17N60D-E3
Vishay Siliconix

SIHP17N60D-E3

جزء الأسهم: 39978

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 340 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF634STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF634STRRPBF

جزء الأسهم: 60256

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 5.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF710STRLPBF
Vishay Siliconix

IRF710STRLPBF

جزء الأسهم: 78230

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF740STRRPBF
Vishay Siliconix

IRF740STRRPBF

جزء الأسهم: 42265

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF840LCSTRRPBF
Vishay Siliconix

IRF840LCSTRRPBF

جزء الأسهم: 41990

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4.8A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFBF30
Vishay Siliconix

IRFBF30

جزء الأسهم: 15025

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLI520GPBF
Vishay Siliconix

IRLI520GPBF

جزء الأسهم: 70768

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 4.3A, 5V,

قائمة الرغبات