Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IRFR9014PBF
Vishay Siliconix

IRFR9014PBF

جزء الأسهم: 73258

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 3.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFBC20SPBF
Vishay Siliconix

IRFBC20SPBF

جزء الأسهم: 22931

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM50P04-09L_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P04-09L_GE3

جزء الأسهم: 4289

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.4 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP460BPBF
Vishay Siliconix

IRFP460BPBF

جزء الأسهم: 19719

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM90N03-2M2P-E3
Vishay Siliconix

SUM90N03-2M2P-E3

جزء الأسهم: 44213

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 32A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG14N50D-GE3
Vishay Siliconix

SIHG14N50D-GE3

جزء الأسهم: 33987

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFPG30PBF
Vishay Siliconix

IRFPG30PBF

جزء الأسهم: 22751

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 1.9A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF840BPBF
Vishay Siliconix

IRF840BPBF

جزء الأسهم: 46957

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHW61N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHW61N65EF-GE3

جزء الأسهم: 5017

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 30.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SUP90220E-GE3
Vishay Siliconix

SUP90220E-GE3

جزء الأسهم: 24915

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP254PBF
Vishay Siliconix

IRFP254PBF

جزء الأسهم: 21103

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFPG40PBF
Vishay Siliconix

IRFPG40PBF

جزء الأسهم: 15431

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1000V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 2.6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP12N50C-E3
Vishay Siliconix

SIHP12N50C-E3

جزء الأسهم: 14174

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 555 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRL620STRLPBF
Vishay Siliconix

IRL620STRLPBF

جزء الأسهم: 61182

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG24N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHG24N65EF-GE3

جزء الأسهم: 10604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 156 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFIBC20GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBC20GPBF

جزء الأسهم: 52188

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG35N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG35N60E-GE3

جزء الأسهم: 9928

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 94 mOhm @ 17A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP23N50LPBF
Vishay Siliconix

IRFP23N50LPBF

جزء الأسهم: 9366

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SUP90330E-GE3
Vishay Siliconix

SUP90330E-GE3

جزء الأسهم: 2910

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37.5 mOhm @ 12.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM47N10-24L_GE3
Vishay Siliconix

SQM47N10-24L_GE3

جزء الأسهم: 60592

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 47A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM110N05-06L_GE3
Vishay Siliconix

SQM110N05-06L_GE3

جزء الأسهم: 46889

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM120N04-1M7L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N04-1M7L_GE3

جزء الأسهم: 43578

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFI9540GPBF
Vishay Siliconix

IRFI9540GPBF

جزء الأسهم: 18364

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 6.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF9Z34PBF
Vishay Siliconix

IRF9Z34PBF

جزء الأسهم: 45556

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 140 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLR024
Vishay Siliconix

IRLR024

جزء الأسهم: 18488

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 8.4A, 5V,

قائمة الرغبات
SIHB22N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHB22N60E-E3

جزء الأسهم: 16060

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR110PBF
Vishay Siliconix

IRFR110PBF

جزء الأسهم: 81403

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 2.6A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLZ14STRLPBF
Vishay Siliconix

IRLZ14STRLPBF

جزء الأسهم: 85510

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

قائمة الرغبات
IRFI530GPBF
Vishay Siliconix

IRFI530GPBF

جزء الأسهم: 34802

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 5.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP38N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP38N60E-GE3

جزء الأسهم: 10061

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 19A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG40N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG40N60E-GE3

جزء الأسهم: 9736

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 75 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF620STRLPBF
Vishay Siliconix

IRF620STRLPBF

جزء الأسهم: 64009

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 3.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP17N50LPBF
Vishay Siliconix

IRFP17N50LPBF

جزء الأسهم: 11401

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 320 mOhm @ 9.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG80N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG80N60E-GE3

جزء الأسهم: 5638

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFIBF30GPBF
Vishay Siliconix

IRFIBF30GPBF

جزء الأسهم: 18335

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF730ASTRLPBF
Vishay Siliconix

IRF730ASTRLPBF

جزء الأسهم: 57071

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات