Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

CSD16340Q3
Texas Instruments

CSD16340Q3

جزء الأسهم: 155301

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,

قائمة الرغبات
CSD17579Q3A
Texas Instruments

CSD17579Q3A

جزء الأسهم: 156545

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.2 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
CSD25484F4
Texas Instruments

CSD25484F4

جزء الأسهم: 145376

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,

قائمة الرغبات
CSD17483F4
Texas Instruments

CSD17483F4

جزء الأسهم: 116376

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 500mA, 8V,

قائمة الرغبات
CSD13202Q2
Texas Instruments

CSD13202Q2

جزء الأسهم: 108785

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD15380F3
Texas Instruments

CSD15380F3

جزء الأسهم: 175405

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1190 mOhm @ 100mA, 8V,

قائمة الرغبات
CSD16323Q3
Texas Instruments

CSD16323Q3

جزء الأسهم: 159492

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

قائمة الرغبات
CSD17527Q5A
Texas Instruments

CSD17527Q5A

جزء الأسهم: 156659

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
CSD17501Q5A
Texas Instruments

CSD17501Q5A

جزء الأسهم: 87988

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.9 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
CSD25310Q2
Texas Instruments

CSD25310Q2

جزء الأسهم: 158694

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23.9 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD18531Q5A
Texas Instruments

CSD18531Q5A

جزء الأسهم: 100811

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات
CSD22202W15
Texas Instruments

CSD22202W15

جزء الأسهم: 183526

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.2 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD23381F4
Texas Instruments

CSD23381F4

جزء الأسهم: 140192

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD17484F4
Texas Instruments

CSD17484F4

جزء الأسهم: 124610

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,

قائمة الرغبات
CSD25484F4T
Texas Instruments

CSD25484F4T

جزء الأسهم: 191418

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 94 mOhm @ 500mA, 8V,

قائمة الرغبات
CSD17510Q5A
Texas Instruments

CSD17510Q5A

جزء الأسهم: 153395

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
CSD25481F4
Texas Instruments

CSD25481F4

جزء الأسهم: 177069

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 88 mOhm @ 500mA, 8V,

قائمة الرغبات
CSD23202W10
Texas Instruments

CSD23202W10

جزء الأسهم: 178668

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD17308Q3
Texas Instruments

CSD17308Q3

جزء الأسهم: 174085

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.3 mOhm @ 10A, 8V,

قائمة الرغبات
CSD16322Q5
Texas Instruments

CSD16322Q5

جزء الأسهم: 145766

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), 97A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,

قائمة الرغبات
CSD13381F4
Texas Instruments

CSD13381F4

جزء الأسهم: 132010

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD16321Q5
Texas Instruments

CSD16321Q5

جزء الأسهم: 95536

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 31A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,

قائمة الرغبات
CSD13201W10
Texas Instruments

CSD13201W10

جزء الأسهم: 125239

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD17552Q5A
Texas Instruments

CSD17552Q5A

جزء الأسهم: 175536

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
CSD25402Q3A
Texas Instruments

CSD25402Q3A

جزء الأسهم: 198958

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 4.5V,

قائمة الرغبات
CSD17484F4T
Texas Instruments

CSD17484F4T

جزء الأسهم: 164993

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 121 mOhm @ 500mA, 8V,

قائمة الرغبات