الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

منزل، بيت
الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

Texas Instruments

CSD25401Q3

جزء الأسهم: 667

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD22206WT

جزء الأسهم: 123191

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD19506KCS

جزء الأسهم: 14126

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD23201W10

جزء الأسهم: 723

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 82 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD19535KCS

جزء الأسهم: 21309

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD18535KTTT

جزء الأسهم: 24381

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200A (Ta), 279A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD23203WT

جزء الأسهم: 199555

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD19503KCS

جزء الأسهم: 41236

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.2 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD18532Q5BT

جزء الأسهم: 40213

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD18531Q5AT

جزء الأسهم: 55771

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 22A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17559Q5

جزء الأسهم: 59831

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD16414Q5

جزء الأسهم: 79433

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 34A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD25485F5T

جزء الأسهم: 17362

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 900mA, 8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD19538Q3A

جزء الأسهم: 137241

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD18534KCS

جزء الأسهم: 47342

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 45A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD16401Q5

جزء الأسهم: 67501

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17301Q5A

جزء الأسهم: 101004

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17552Q3A

جزء الأسهم: 186191

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17522Q5A

جزء الأسهم: 146931

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 87A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.1 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17581Q3A

جزء الأسهم: 198233

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17577Q5A

جزء الأسهم: 147774

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17553Q5A

جزء الأسهم: 124018

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23.5A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17578Q5AT

جزء الأسهم: 133644

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17585F5

جزء الأسهم: 192824

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 900mA, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD18504Q5AT

جزء الأسهم: 100924

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 17A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD22204WT

جزء الأسهم: 179951

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD19538Q2T

جزء الأسهم: 164208

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 59 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD13385F5

جزء الأسهم: 112440

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 900mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD23382F4T

جزء الأسهم: 164186

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 76 mOhm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17313Q2Q1

جزء الأسهم: 147202

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17571Q2

جزء الأسهم: 172113

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD16325Q5C

جزء الأسهم: 73079

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD16323Q3C

جزء الأسهم: 145322

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 24A, 8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17306Q5A

جزء الأسهم: 132830

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 22A, 8V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD17507Q5A

جزء الأسهم: 69833

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.8 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Texas Instruments

CSD16325Q5

جزء الأسهم: 80364

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Ta), 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

قائمة الرغبات

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»