مآخذ المرحلية ، الترانزستورات

818-AG12D

جزء الأسهم: 3651

يكتب: DIP, 0.3" (7.62mm) Row Spacing, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 18 (2 x 9), الملعب - التزاوج: 0.100" (2.54mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 80.0µin (2.03µm), مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

8080-1G39

جزء الأسهم: 3576

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Oval), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8058-1G57

جزء الأسهم: 3532

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 8 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8058-1G34

جزء الأسهم: 3201

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 10 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8058-39G4

جزء الأسهم: 3205

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 8 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

822499-1

جزء الأسهم: 2931

يكتب: PLCC, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 44 (4 x 11), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

822472-7

جزء الأسهم: 2978

يكتب: PLCC, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 84 (4 x 21), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

822473-3

جزء الأسهم: 2904

يكتب: PLCC, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 32 (2 x 7, 2 x 9), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

8080-1G9

جزء الأسهم: 4908

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 4 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

822473-4

جزء الأسهم: 2778

يكتب: PLCC, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 44 (4 x 11), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

822114-3

جزء الأسهم: 2711

يكتب: QFP, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 144 (4 x 36), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 200.0µin (5.08µm), مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

822114-4

جزء الأسهم: 2565

يكتب: QFP, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 160 (4 x 40), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 200.0µin (5.08µm), مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

821949-4

جزء الأسهم: 6261

يكتب: QFP, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 100 (4 x 25), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 200.0µin (5.08µm), مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

8-1437504-6

جزء الأسهم: 4944

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Oval), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, سماكة التلامس - التزاوج: 50.0µin (1.27µm), مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8060-1G5

جزء الأسهم: 5162

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8059-2G5

جزء الأسهم: 5248

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 8 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

8060-1G12

جزء الأسهم: 5783

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 4 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8059-2G8

جزء الأسهم: 5326

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 8 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8058-24G1

جزء الأسهم: 5420

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 10 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8058-1G31

جزء الأسهم: 5560

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 10 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

848-AG10D

جزء الأسهم: 5579

يكتب: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 48 (2 x 24), الملعب - التزاوج: 0.100" (2.54mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, سماكة التلامس - التزاوج: 25.0µin (0.63µm), مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

840-AG10D

جزء الأسهم: 7945

يكتب: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 40 (2 x 20), الملعب - التزاوج: 0.100" (2.54mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, سماكة التلامس - التزاوج: 25.0µin (0.63µm), مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

821949-5

جزء الأسهم: 6418

يكتب: QFP, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 132 (4 x 33), الملعب - التزاوج: 0.050" (1.27mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 200.0µin (5.08µm), مواد الاتصال - التزاوج: Phosphor Bronze,

836-AG11D

جزء الأسهم: 5795

يكتب: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 36 (2 x 18), الملعب - التزاوج: 0.100" (2.54mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, سماكة التلامس - التزاوج: 25.0µin (0.63µm), مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

8080-1G24

جزء الأسهم: 8235

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 20.0µin (0.51µm), مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8080-1G15

جزء الأسهم: 5834

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Oval), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, سماكة التلامس - التزاوج: 200.0µin (5.08µm), مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8080-1G1

جزء الأسهم: 6500

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 4 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

828-AG12D

جزء الأسهم: 9716

يكتب: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 28 (2 x 14), الملعب - التزاوج: 0.100" (2.54mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin-Lead, مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

8060-1G11

جزء الأسهم: 6752

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8060-1G6

جزء الأسهم: 6241

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 4 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

840-AG11D

جزء الأسهم: 9058

يكتب: DIP, 0.6" (15.24mm) Row Spacing, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 40 (2 x 20), الملعب - التزاوج: 0.100" (2.54mm), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, سماكة التلامس - التزاوج: 25.0µin (0.63µm), مواد الاتصال - التزاوج: Copper Alloy,

8080-1G17

جزء الأسهم: 7704

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Oval), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8080-1G31

جزء الأسهم: 6813

يكتب: Transistor, TO-3, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Oval), إنهاء الاتصال - التزاوج: Tin, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8-1437530-1

جزء الأسهم: 6731

8058-1G32

جزء الأسهم: 4618

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 8 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,

8060-1G17

جزء الأسهم: 5338

يكتب: Transistor, TO-5, عدد المناصب أو الدبابيس (الشبكة): 3 (Round), إنهاء الاتصال - التزاوج: Gold, مواد الاتصال - التزاوج: Beryllium Copper,