نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 4, الجهد - العرض: 3V ~ 20V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 5µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, سمات: Open Drain, الجهد - العرض: 3V ~ 20V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 100µA,
نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 3V ~ 20V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 20µA,
نوع المنطق: XNOR (Exclusive NOR), عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 4, عدد المدخلات: 2, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 3V ~ 20V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 20µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, الجهد - العرض: 3V ~ 20V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 5µA,
نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 6, عدد المدخلات: 6, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 3V ~ 20V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 20µA,
