Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

STS11N3LLH5
STMicroelectronics

STS11N3LLH5

جزء الأسهم: 174457

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STD7NM64N
STMicroelectronics

STD7NM64N

جزء الأسهم: 73948

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 640V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.05 Ohm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STD12NM50ND
STMicroelectronics

STD12NM50ND

جزء الأسهم: 39640

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 380 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STB11N52K3
STMicroelectronics

STB11N52K3

جزء الأسهم: 1428

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 525V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 510 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
STP16NF25
STMicroelectronics

STP16NF25

جزء الأسهم: 1505

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 6.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STD2NK90ZT4
STMicroelectronics

STD2NK90ZT4

جزء الأسهم: 104761

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 Ohm @ 1.05A, 10V,

قائمة الرغبات
STB26NM60ND
STMicroelectronics

STB26NM60ND

جزء الأسهم: 1513

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 10.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STS6NF20V
STMicroelectronics

STS6NF20V

جزء الأسهم: 162931

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.95V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
STD6NF10T4
STMicroelectronics

STD6NF10T4

جزء الأسهم: 164549

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
STS1NK60Z
STMicroelectronics

STS1NK60Z

جزء الأسهم: 154185

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 400mA, 10V,

قائمة الرغبات
STD105N10F7AG
STMicroelectronics

STD105N10F7AG

جزء الأسهم: 34932

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
STD5N52U
STMicroelectronics

STD5N52U

جزء الأسهم: 113312

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 525V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

قائمة الرغبات
STH400N4F6-2
STMicroelectronics

STH400N4F6-2

جزء الأسهم: 15167

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.15 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
STDLED625H
STMicroelectronics

STDLED625H

جزء الأسهم: 105739

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 620V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1.9A, 10V,

قائمة الرغبات
STH180N10F3-6
STMicroelectronics

STH180N10F3-6

جزء الأسهم: 1520

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
STD2N95K5
STMicroelectronics

STD2N95K5

جزء الأسهم: 121971

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 950V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
STP26NM60N
STMicroelectronics

STP26NM60N

جزء الأسهم: 15690

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 165 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
STD2N80K5
STMicroelectronics

STD2N80K5

جزء الأسهم: 132100

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
STU8NM50N
STMicroelectronics

STU8NM50N

جزء الأسهم: 36465

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 790 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STU5N62K3
STMicroelectronics

STU5N62K3

جزء الأسهم: 38797

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 620V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 Ohm @ 2.1A, 10V,

قائمة الرغبات
STS4DNFS30
STMicroelectronics

STS4DNFS30

جزء الأسهم: 41664

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
STU9HN65M2
STMicroelectronics

STU9HN65M2

جزء الأسهم: 56825

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 820 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STD4NK50ZD
STMicroelectronics

STD4NK50ZD

جزء الأسهم: 1560

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STD11NM65N
STMicroelectronics

STD11NM65N

جزء الأسهم: 49123

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 455 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STL16N65M5
STMicroelectronics

STL16N65M5

جزء الأسهم: 1500

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 299 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
STB200N6F3
STMicroelectronics

STB200N6F3

جزء الأسهم: 1548

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 60A, 10V,

قائمة الرغبات
STP75NF20
STMicroelectronics

STP75NF20

جزء الأسهم: 12306

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 34 mOhm @ 37A, 10V,

قائمة الرغبات
STB130N6F7
STMicroelectronics

STB130N6F7

جزء الأسهم: 60416

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
STL25N15F3
STMicroelectronics

STL25N15F3

جزء الأسهم: 41513

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
STS13N3LLH5
STMicroelectronics

STS13N3LLH5

جزء الأسهم: 98336

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 6.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STU3LN80K5
STMicroelectronics

STU3LN80K5

جزء الأسهم: 63227

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.25 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
STK820
STMicroelectronics

STK820

جزء الأسهم: 52221

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 10.5A, 10V,

قائمة الرغبات
STL40N75LF3
STMicroelectronics

STL40N75LF3

جزء الأسهم: 58033

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
STL120N4F6AG
STMicroelectronics

STL120N4F6AG

جزء الأسهم: 93092

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
STR2N2VH5
STMicroelectronics

STR2N2VH5

جزء الأسهم: 116047

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
STD155N3H6
STMicroelectronics

STD155N3H6

جزء الأسهم: 70537

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات