Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

PMIC - بوابات السائقين

LTC1693-3CMS8#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1693-3CMS8#TRPBF

جزء الأسهم: 37664

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LTC1693-1IS8#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1693-1IS8#TRPBF

جزء الأسهم: 34227

تكوين مدفوعة: High-Side or Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LTC1693-5CMS8#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1693-5CMS8#TRPBF

جزء الأسهم: 163

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.2V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.7V, 2.2V,

قائمة الرغبات
LTC4446IMS8E#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4446IMS8E#TRPBF

جزء الأسهم: 31275

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.2V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.25V,

قائمة الرغبات
LTC4442EMS8E-1#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4442EMS8E-1#TRPBF

جزء الأسهم: 45748

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 9.5V,

قائمة الرغبات
LTC4440AHMS8E-5#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4440AHMS8E-5#TRPBF

جزء الأسهم: 26051

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.2V, 1.6V,

قائمة الرغبات
LTC7004IMSE#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC7004IMSE#TRPBF

جزء الأسهم: 25756

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 60V (Max),

قائمة الرغبات
LTC4440ES6#TRMPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4440ES6#TRMPBF

جزء الأسهم: 33944

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 1.6V,

قائمة الرغبات
LTC4444IMS8E-5#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4444IMS8E-5#TRPBF

جزء الأسهم: 31291

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.25V,

قائمة الرغبات
LTC4449EDCB#TRMPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4449EDCB#TRMPBF

جزء الأسهم: 47265

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 6.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 6.5V,

قائمة الرغبات
LTC1623CS8#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1623CS8#PBF

جزء الأسهم: 41122

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 2.7V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 1.4V,

قائمة الرغبات
LTC4441EMSE#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4441EMSE#TRPBF

جزء الأسهم: 35549

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 25V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LTC4442EMS8E#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4442EMS8E#TRPBF

جزء الأسهم: 45786

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 9.5V,

قائمة الرغبات
LTC4449IDCB#TRMPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4449IDCB#TRMPBF

جزء الأسهم: 42509

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 6.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 3V, 6.5V,

قائمة الرغبات
LTC4444EMS8E-5#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4444EMS8E-5#TRPBF

جزء الأسهم: 33416

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.25V,

قائمة الرغبات
LT1910ES8#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LT1910ES8#TRPBF

جزء الأسهم: 28453

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 48V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LTC4442EMS8E#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4442EMS8E#PBF

جزء الأسهم: 28698

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 9.5V,

قائمة الرغبات
LTC4442IMS8E#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4442IMS8E#TRPBF

جزء الأسهم: 41281

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6V ~ 9.5V,

قائمة الرغبات
LTC4440ES6-5#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4440ES6-5#TRPBF

جزء الأسهم: 33954

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 1.6V,

قائمة الرغبات
LT1910IS8#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LT1910IS8#TRPBF

جزء الأسهم: 25441

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 48V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.7V, 3.5V,

قائمة الرغبات
LTC4444HMS8E#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4444HMS8E#PBF

جزء الأسهم: 29630

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.2V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.25V,

قائمة الرغبات
LTC4446EMS8E#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4446EMS8E#TRPBF

جزء الأسهم: 33473

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 7.2V ~ 13.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.85V, 3.25V,

قائمة الرغبات
LTC4440IS6#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC4440IS6#TRPBF

جزء الأسهم: 29765

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 1.3V, 1.6V,

قائمة الرغبات
LTC1154CN8#PBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1154CN8#PBF

جزء الأسهم: 38891

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
LTC1982ES6#TRMPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1982ES6#TRMPBF

جزء الأسهم: 40655

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 1.4V,

قائمة الرغبات
LTC1981ES5#TRPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1981ES5#TRPBF

جزء الأسهم: 53993

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 1.4V,

قائمة الرغبات
LTC1981ES5#TRMPBF
Linear Technology/Analog Devices

LTC1981ES5#TRMPBF

جزء الأسهم: 54066

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 1.4V,

قائمة الرغبات