الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 1

MAT01AH

جزء الأسهم: 2115

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2212RZ-RL

جزء الأسهم: 17507

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500pA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-R7

جزء الأسهم: 17211

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1mA, 15V,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT01GH

جزء الأسهم: 3534

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 400nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

جزء الأسهم: 17521

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1mA, 15V,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

جزء الأسهم: 11095

نوع الترانزستور: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 3nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

جزء الأسهم: 4479

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2220S

جزء الأسهم: 4512

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2212RZ-R7

جزء الأسهم: 17118

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500pA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2212RZ

جزء الأسهم: 9716

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500pA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT03FH

جزء الأسهم: 4409

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ

جزء الأسهم: 6131

نوع الترانزستور: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 3nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2220PZ

جزء الأسهم: 4403

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-R7

جزء الأسهم: 10821

نوع الترانزستور: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 3nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT03FHZ

جزء الأسهم: 4412

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2220SZ

جزء الأسهم: 4484

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1mA, 36V,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT01GHZ

جزء الأسهم: 3902

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 400nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT03EH

جزء الأسهم: 4393

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT01AHZ

جزء الأسهم: 2762

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300nA,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

SSM2220SZ-REEL

جزء الأسهم: 4565

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 36V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 100µA, 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1mA, 36V,

قائمة الرغبات

Analog Devices Inc.

MAT12AHZ

جزء الأسهم: 2203

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual) Matched Pair, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500pA,

قائمة الرغبات