الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - صفائف

UPA3753GR-E1-AT

جزء الأسهم: 158590

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 56 mOhm @ 2.5A, 10V,

UPA2660T1R-E2-AX

جزء الأسهم: 164961

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 62 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA2690T1R-E2-AX

جزء الأسهم: 161730

نوع FET: N and P-Channel Complementary, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, 3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA672T-T1-A

جزء الأسهم: 3018

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

UPA2672T1R-E2-AX

جزء الأسهم: 5419

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V,

UPA1764G-E1-A

جزء الأسهم: 2982

UPA1981TE-T1-A

جزء الأسهم: 3313

UPA1764G(0)-E1-AZ

جزء الأسهم: 3007

UPA1764G(0)-E2-AT

جزء الأسهم: 3039

UPA2372T1P-E4-A

جزء الأسهم: 2981

RJK4034DJE-00#Z0

جزء الأسهم: 3031

RJM0603JSC-00#13

جزء الأسهم: 3358

نوع FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UPA2383T1P-E1-A#YW

جزء الأسهم: 3021

UPA2381T1P-E1-A#YW

جزء الأسهم: 3033

RJM0603JSC-00#12

جزء الأسهم: 2981

نوع FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, 4.5V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

HAT2092R-EL-E

جزء الأسهم: 2741

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 5.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

UPA2373T1P-E4-A

جزء الأسهم: 2961

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

UPA2379T1P-E1-A

جزء الأسهم: 102853

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

UPA2385T1P-E1-A

جزء الأسهم: 2930

UPA2375T1P-E1-A

جزء الأسهم: 126687

نوع FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, ميزة FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

RJM0306JSP-01#J0

جزء الأسهم: 2927

نوع FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), ميزة FET: Logic Level Gate, 4V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 2A, 10V,

HAT2038R-EL-E

جزء الأسهم: 2697

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 58 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA,

UPA2670T1R-E2-AX

جزء الأسهم: 2933

نوع FET: 2 P-Channel (Dual), ميزة FET: Logic Level Gate, 1.8V Drive, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

UPA1764G-E2-AZ

جزء الأسهم: 3354

نوع FET: 2 N-Channel (Dual), ميزة FET: Standard, استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 3.5A, 10V,