يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) |
ميزة FET | Logic Level Gate, 4V Drive |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 30V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 3.5A |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 65 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 5nC @ 10V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 290pF @ 10V |
أقصى القوة | 2.2W |
درجة حرارة التشغيل | - |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
حزمة جهاز المورد | 8-SOP |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |