الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

2SK3480-AZ

جزء الأسهم: 27738

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 31 mOhm @ 25A, 10V,

2SK1317-E

جزء الأسهم: 12240

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 15V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 2A, 15V,

2SJ649-AZ

جزء الأسهم: 38398

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 48 mOhm @ 10A, 10V,

2SK3482-AZ

جزء الأسهم: 39454

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 18A, 10V,

2SK3484-AZ

جزء الأسهم: 57231

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 8A, 10V,

2SK1835-E

جزء الأسهم: 8930

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 15V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 2A, 15V,

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

جزء الأسهم: 2431

2SK3902(0)-ZK-E1-AY

جزء الأسهم: 2436

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

جزء الأسهم: 2376

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2410

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2381

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2411

2SK3813-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2410

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2432

2SK3755-AZ

جزء الأسهم: 2464

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2426

2SK3483(0)-Z-E1-AY

جزء الأسهم: 2373

2SK3430(02)-S6-AZ

جزء الأسهم: 2429

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2448

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2405

2SK3377-Z-E2-AZ

جزء الأسهم: 2421

2SK3377-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2392

2SK3377(0)-Z-E2-AZ

جزء الأسهم: 2444

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2402

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2401

2SK3353-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2397

2SJ648-T1-A

جزء الأسهم: 2396

2SK3353(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 6328

2SJ600-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 5671

2SJ601(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2425

2SJ599(0)-Z-E2-AZ

جزء الأسهم: 2448

2SJ599(0)-ZK-E1-AY

جزء الأسهم: 2428

2SJ599(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2398

2SJ598(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2439

2SK3431-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 1978

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 83A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

2SK3431-AZ

جزء الأسهم: 1997

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 83A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,