Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

NP15P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP15P06SLG-E1-AY

جزء الأسهم: 1126

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 7.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NP74N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP74N04YUG-E1-AY

جزء الأسهم: 1233

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 37.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NP75P04YLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP75P04YLG-E1-AY

جزء الأسهم: 1153

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.7 mOhm @ 37.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NP80N055MHE-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N055MHE-S18-AY

جزء الأسهم: 1152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
NP80N055NDG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N055NDG-S18-AY

جزء الأسهم: 1173

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
NP100P06PLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P06PLG-E1-AY

جزء الأسهم: 1204

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
NP36P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P04KDG-E1-AY

جزء الأسهم: 1151

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
NP160N04TDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TDG-E1-AY

جزء الأسهم: 1181

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
RJK0353DPA-01#J0B
Renesas Electronics America

RJK0353DPA-01#J0B

جزء الأسهم: 164042

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 17.5A, 10V,

قائمة الرغبات
RJK0851DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0851DPB-00#J5

جزء الأسهم: 125161

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
NP160N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N055TUJ-E1-AY

جزء الأسهم: 1194

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
NP80N055KLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP80N055KLE-E1-AY

جزء الأسهم: 1211

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
NP160N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP160N04TUJ-E1-AY

جزء الأسهم: 6194

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
NP60N04MUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP60N04MUG-S18-AY

جزء الأسهم: 1119

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NP180N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP180N04TUJ-E1-AY

جزء الأسهم: 1197

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
NP60N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP60N03SUG-E1-AY

جزء الأسهم: 1234

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NP88N075KUE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP88N075KUE-E1-AY

جزء الأسهم: 1209

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 88A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 44A, 10V,

قائمة الرغبات
NP36P04SDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P04SDG-E1-AY

جزء الأسهم: 1154

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
RJK6024DPD-00#J2
Renesas Electronics America

RJK6024DPD-00#J2

جزء الأسهم: 1206

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات
NP34N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP34N055SLE-E1-AY

جزء الأسهم: 1144

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 34A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 17A, 10V,

قائمة الرغبات
NP180N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America

NP180N055TUJ-E1-AY

جزء الأسهم: 6170

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

قائمة الرغبات
RJK0451DPB-00#J5
Renesas Electronics America

RJK0451DPB-00#J5

جزء الأسهم: 125147

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 17.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NP88N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP88N04NUG-S18-AY

جزء الأسهم: 1135

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 88A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 44A, 10V,

قائمة الرغبات
NP50P04KDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P04KDG-E1-AY

جزء الأسهم: 1131

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
NP82N04NUG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP82N04NUG-S18-AY

جزء الأسهم: 1158

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 82A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.2 mOhm @ 41A, 10V,

قائمة الرغبات
NP35N04YUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP35N04YUG-E1-AY

جزء الأسهم: 1203

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 17.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NP55N03SUG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP55N03SUG-E1-AY

جزء الأسهم: 1169

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 28A, 10V,

قائمة الرغبات
NP80N06MLG-S18-AY
Renesas Electronics America

NP80N06MLG-S18-AY

جزء الأسهم: 6116

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
NP32N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP32N055SLE-E1-AY

جزء الأسهم: 1182

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
NP36P06SLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP36P06SLG-E1-AY

جزء الأسهم: 1185

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
NP82N04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP82N04PDG-E1-AY

جزء الأسهم: 1131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 82A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 41A, 10V,

قائمة الرغبات
NP100P04PLG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P04PLG-E1-AY

جزء الأسهم: 1193

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
NP100P04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP100P04PDG-E1-AY

جزء الأسهم: 24318

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
NP22N055SLE-E1-AY
Renesas Electronics America

NP22N055SLE-E1-AY

جزء الأسهم: 1154

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
NP80N06PLG-E1B-AY
Renesas Electronics America

NP80N06PLG-E1B-AY

جزء الأسهم: 1172

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.3 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
NP50P03YDG-E1-AY
Renesas Electronics America

NP50P03YDG-E1-AY

جزء الأسهم: 1191

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات