ذاكرة | الدوائر المتكاملة (المرحلية) | 7

RMLV0408EGSB-4S2#AA0

جزء الأسهم: 4912

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (512K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#AA0

جزء الأسهم: 4976

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0416EGSB-4S2#HA0

جزء الأسهم: 4968

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

HN58X25256FPIAG#S0

جزء الأسهم: 7301

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), تردد الساعة: 5MHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-5SR#S0

جزء الأسهم: 2787

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SR#S0

جزء الأسهم: 1295

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSB-4S2#HA0

جزء الأسهم: 4969

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (512K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSA-4S2#KA0

جزء الأسهم: 4966

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (512K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX25512ATA00I#U0

جزء الأسهم: 2967

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 512Kb (64K x 8), تردد الساعة: 5MHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SR#B0

جزء الأسهم: 1286

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LP0108ESN-7SR#S0

جزء الأسهم: 1264

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SR#S0

جزء الأسهم: 2847

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0408EGSA-4S2#AA0

جزء الأسهم: 4970

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (512K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

جزء الأسهم: 4987

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-5SR#B0

جزء الأسهم: 1209

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

HN58X25128FPIAG#S0

جزء الأسهم: 2777

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 128Kb (16K x 8), تردد الساعة: 5MHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SI#S0

جزء الأسهم: 1290

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#AA0

جزء الأسهم: 5022

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 45ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV3216RSA-7SR#B0

جزء الأسهم: 2826

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX24064ASAS0I#U0

جزء الأسهم: 2743

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 64Kb (8K x 8), تردد الساعة: 400kHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#B0

جزء الأسهم: 3101

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 4Mb (256K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 12ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

HM28100TTI5SE

جزء الأسهم: 5535

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 8Mb (1M x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#S0

جزء الأسهم: 3565

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX24256BSAS0I#K0

جزء الأسهم: 9012

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), تردد الساعة: 400kHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV1616RBG-7SR#S0

جزء الأسهم: 2262

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 16Mb (1M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX24512BTAS0I#S0

جزء الأسهم: 2254

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 512Kb (64K x 8), تردد الساعة: 1MHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-5SI#B0

جزء الأسهم: 9180

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV0108ESN-7SI#B0

جزء الأسهم: 8974

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX24002ATAS0I#S0

جزء الأسهم: 2250

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 2Kb (256 x 8), تردد الساعة: 400kHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX24128BSAS0I#K0

جزء الأسهم: 8961

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 128Kb (16K x 8), تردد الساعة: 400kHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX25008ATA00I#S0

جزء الأسهم: 2254

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 8Kb (1K x 8), تردد الساعة: 5MHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV5256ESA-5SI#S0

جزء الأسهم: 2391

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 256Kb (32K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1WV3216RBG-7SR#B0

جزء الأسهم: 9415

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 32Mb (2M x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1EX24008ASAS0I#U0

جزء الأسهم: 6440

نوع الذاكرة: Non-Volatile, تنسيق الذاكرة: EEPROM, تقنية: EEPROM, حجم الذاكرة: 8Kb (1K x 8), تردد الساعة: 400kHz, اكتب Cycle Time - Word ، Page: 5ms,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-7SI#B0

جزء الأسهم: 9244

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 8Mb (512K x 16), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 70ns,

قائمة الرغبات

Renesas Electronics America

R1LP0108ESF-5SI#B0

جزء الأسهم: 8844

نوع الذاكرة: Volatile, تنسيق الذاكرة: SRAM, تقنية: SRAM, حجم الذاكرة: 1Mb (128K x 8), اكتب Cycle Time - Word ، Page: 55ns,

قائمة الرغبات