نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 128,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 20.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 64,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 30.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 30.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 15.0ns, توريد الجهد - داخلي: 3V ~ 3.6V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
نوع قابل للبرمجة: In System Programmable (min 10K program/erase cycles), وقت التأخير tpd (1) كحد أقصى: 10.0ns, توريد الجهد - داخلي: 4.75V ~ 5.25V, عدد الخلايا الكبيرة: 32,
