الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 6

2N6661

جزء الأسهم: 6316

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 90V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 350mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

2N7008-G

جزء الأسهم: 138197

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

2N6660

جزء الأسهم: 6315

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 410mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

2N7002-G

جزء الأسهم: 134471

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

2N7000-G

جزء الأسهم: 187823

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

جزء الأسهم: 53675

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN2540N3-G-P002

جزء الأسهم: 74193

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 175mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

جزء الأسهم: 103880

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

MCP87050T-U/MF

جزء الأسهم: 146526

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VN0300L-G-P002

جزء الأسهم: 81152

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 640mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VN1206L-G-P002

جزء الأسهم: 58212

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 120V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 230mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN0620N3-G-P002

جزء الأسهم: 71231

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN2130K1-G

جزء الأسهم: 145339

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 300V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VN0104N3-G-P013

جزء الأسهم: 139578

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 350mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN2640LG-G

جزء الأسهم: 51374

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

جزء الأسهم: 46577

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 640mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TP2502N8-G

جزء الأسهم: 77492

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 630mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TP2435N8-G

جزء الأسهم: 67130

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 231mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

MCP87022T-U/MF

جزء الأسهم: 69227

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN0610N3-G-P013

جزء الأسهم: 89494

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

LND150N3-G-P013

جزء الأسهم: 183588

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

DN1509N8-G

جزء الأسهم: 131170

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 90V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 360mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN0106N3-G-P003

جزء الأسهم: 112566

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 350mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

جزء الأسهم: 87261

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

MCP87090T-U/LC

جزء الأسهم: 199305

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 48A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

DN2535N3-G-P013

جزء الأسهم: 124551

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 350V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

LND150N3-G-P014

جزء الأسهم: 183620

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

جزء الأسهم: 89433

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TP2424N8-G

جزء الأسهم: 69759

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 240V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 316mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

جزء الأسهم: 183616

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN0104N3-G-P014

جزء الأسهم: 96882

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 450mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TP2520N8-G

جزء الأسهم: 72715

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

جزء الأسهم: 174398

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 310mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

جزء الأسهم: 77538

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN2425N8-G

جزء الأسهم: 77566

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 480mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

جزء الأسهم: 191644

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 6V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات