الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 6

LND150N8-G

جزء الأسهم: 155053

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

LND150K1-G

جزء الأسهم: 187815

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TN2540N8-G

جزء الأسهم: 74252

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 260mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

TP2540N8-G

جزء الأسهم: 63450

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 125mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات

Microchip Technology

DN2470K4-G

جزء الأسهم: 115852

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 0V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 Ohm @ 100mA, 0V,

قائمة الرغبات