RFID مرسلات ، العلامات

AT88SC1616CRF-MX1

جزء الأسهم: 68116

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 16kb (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC3216CRF-MX1

جزء الأسهم: 67300

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 32kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5580M264-TSMW

جزء الأسهم: 758

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User),

ATA5577M1330C-UFPW

جزء الأسهم: 728

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

AT88RF04C-MVB1G

جزء الأسهم: 772

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,

AT88RF04C-MY1G

جزء الأسهم: 728

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC1616CRF-MR1

جزء الأسهم: 702

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 16kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5580M156-TSMW

جزء الأسهم: 766

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User),

AT88SC6416CRF-MY1

جزء الأسهم: 698

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 64kb (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC3216CRF-MY1

جزء الأسهم: 705

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 32kb (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC0808CRF-MVB1G

جزء الأسهم: 691

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC0808CRF-MX1

جزء الأسهم: 68975

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC6416CRF-MVB1G

جزء الأسهم: 759

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 64kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5580M256-TSMW

جزء الأسهم: 771

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User),

ATA5580M132-TSMW

جزء الأسهم: 708

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User),

ATA5551M-PP

جزء الأسهم: 163

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 224b (User),

ATA5551M-DRBW

جزء الأسهم: 704

AT88SC1616CRF-MVB1G

جزء الأسهم: 140

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5577M1330C-PPMY

جزء الأسهم: 726

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

AT88SC3216CRF-MR1

جزء الأسهم: 740

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 32kb (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC0808CRF-MY1

جزء الأسهم: 745

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 14443,

AT88SC3216CRF-MVB1G

جزء الأسهم: 674

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5577M3330C-DBN

جزء الأسهم: 731

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

AT88SC1616CRF-MY1

جزء الأسهم: 693

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 16kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5551M-PPMY

جزء الأسهم: 20303

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 224b (User),

AT88SC6416CRF-MX1

جزء الأسهم: 66442

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 64kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5577M1330C-PP

جزء الأسهم: 745

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

ATA5577M233SC-DBB

جزء الأسهم: 184520

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

ATA5577M3330C-DBB

جزء الأسهم: 186605

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

AT88RF04C-MR1G

جزء الأسهم: 111191

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5577M133SC-DDB

جزء الأسهم: 154164

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

AT88RF04C-MX1G

جزء الأسهم: 92084

أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,

ATA5577M3330C-DDB

جزء الأسهم: 131289

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

ATA5577M3331C-DBB

جزء الأسهم: 119716

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

ATA5577M233AC-DBB

جزء الأسهم: 125520

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

ATA5577M233SC-DBQ

جزء الأسهم: 180365

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,