أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 363b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 8kB (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 4kb (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (User), المعايير: ISO 14443,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 224b (User),
تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Encapsulated, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 320b (User),
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128b (User),
