PMIC - بوابات السائقين

MAX15025BATB+T

MAX15025BATB+T

جزء الأسهم: 7148

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 6.5V ~ 28V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 2V, 4.25V,

قائمة الرغبات
ICL7667CBA+T

ICL7667CBA+T

جزء الأسهم: 5430

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
MAX4426ESA+T

MAX4426ESA+T

جزء الأسهم: 7135

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX15013CASA+

MAX15013CASA+

جزء الأسهم: 5934

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
MAX628CPA

MAX628CPA

جزء الأسهم: 498

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX4428CPA+

MAX4428CPA+

جزء الأسهم: 20571

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX4426CPA+

MAX4426CPA+

جزء الأسهم: 23621

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX4420ESA

MAX4420ESA

جزء الأسهم: 3404

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX5054BATA+T

MAX5054BATA+T

جزء الأسهم: 12747

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

قائمة الرغبات
MAX4420CSA

MAX4420CSA

جزء الأسهم: 1368

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX5078AATT+T

MAX5078AATT+T

جزء الأسهم: 12370

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V,

قائمة الرغبات
MAX15013AASA+T

MAX15013AASA+T

جزء الأسهم: 16414

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
ICL7667CBA

ICL7667CBA

جزء الأسهم: 63

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 17V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
TSC427CBA+

TSC427CBA+

جزء الأسهم: 20195

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX5057BASA+T

MAX5057BASA+T

جزء الأسهم: 21081

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

قائمة الرغبات
MAX628EPA

MAX628EPA

جزء الأسهم: 1280

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX626EPA+

MAX626EPA+

جزء الأسهم: 16305

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX627EPA+

MAX627EPA+

جزء الأسهم: 16248

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX15019AASA+

MAX15019AASA+

جزء الأسهم: 13714

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
TSC428CBA+

TSC428CBA+

جزء الأسهم: 20130

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX8811EEE+

MAX8811EEE+

جزء الأسهم: 10234

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Synchronous, عدد السائقين: 4, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 7V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.6V,

قائمة الرغبات
MAX4428EPA+

MAX4428EPA+

جزء الأسهم: 19480

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX15012DASA+

MAX15012DASA+

جزء الأسهم: 15141

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
MAX15025AATB+T

MAX15025AATB+T

جزء الأسهم: 23389

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 28V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
MAX5055BASA+T

MAX5055BASA+T

جزء الأسهم: 21167

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

قائمة الرغبات
MAX1614EUA

MAX1614EUA

جزء الأسهم: 10070

تكوين مدفوعة: High-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 5V ~ 26V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.6V, 2V,

قائمة الرغبات
TSC426CPA+

TSC426CPA+

جزء الأسهم: 14236

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX15012AASA+

MAX15012AASA+

جزء الأسهم: 9188

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V,

قائمة الرغبات
MAX5056AASA+T

MAX5056AASA+T

جزء الأسهم: 22887

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4V ~ 15V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.1V,

قائمة الرغبات
MAX4420CPA

MAX4420CPA

جزء الأسهم: 812

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Single, عدد السائقين: 1, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX15013AASA+

MAX15013AASA+

جزء الأسهم: 9198

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
MAX4427CPA

MAX4427CPA

جزء الأسهم: 1648

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
TSC427CPA+

TSC427CPA+

جزء الأسهم: 14241

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX5063CASA+T

MAX5063CASA+T

جزء الأسهم: 51675

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات
MAX626ESA+

MAX626ESA+

جزء الأسهم: 23410

تكوين مدفوعة: Low-Side, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel, P-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 4.5V ~ 18V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2.4V,

قائمة الرغبات
MAX5063AASA+T

MAX5063AASA+T

جزء الأسهم: 51717

تكوين مدفوعة: Half-Bridge, نوع القناة: Independent, عدد السائقين: 2, نوع البوابة: N-Channel MOSFET, الجهد - العرض: 8V ~ 12.6V, الجهد المنطقي - VIL ، VIH: 0.8V, 2V,

قائمة الرغبات