يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
تكوين مدفوعة | Low-Side |
نوع القناة | Independent |
عدد السائقين | 2 |
نوع البوابة | N-Channel, P-Channel MOSFET |
الجهد - العرض | 4.5V ~ 18V |
الجهد المنطقي - VIL ، VIH | 0.8V, 2.4V |
التيار - ذروة الإخراج (المصدر ، المغسلة) | 1.5A, 1.5A |
نوع الإدخال | Inverting |
الجهد الجانبي العالي - الحد الأقصى (التمهيد) | - |
وقت الصعود / الهبوط (نموذجي) | 20ns, 20ns |
درجة حرارة التشغيل | -40°C ~ 85°C (TA) |
نوع التركيب | Surface Mount |
العبوة / العلبة | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
حزمة جهاز المورد | 8-SOIC |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |